一种分子层沉积设备及方法

    公开(公告)号:CN117431530A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311454517.3

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提供一种分子层沉积设备及方法,包括沉积腔体、通氮气通道、抽真空通道和两条前驱体传输通道,所述两条前驱体传输通道,其中一条为前驱体公共传输通道,用来连接第一和第二前驱体传输通道,并且每个前驱体传输通道都包含泄压通道,用来释放系统形成多余的压力。本发明通过低蒸汽压的两种或两种以上的前驱体材料,并交替通入沉积腔体并与基底材料上发生化学反应形成所需沉积薄膜。当前驱体通过加热蒸发成为气体并通入沉积腔体过程中,出现温度过低和温度过高都会沉积失败,因此本发明通过设计合适的管道模型,保障气体传输过程中适宜的温度,分子层沉积工艺的成功实现。本发明多数为标准件,易拆装,替换方便操作,制造及维护成本低廉。

Patent Agency Ranking