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公开(公告)号：CN102674440A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210160877.8
申请日：2012-05-23
Applicant: 许昌学院
IPC: C01G21/21
Abstract: 一种乙二胺辅助原位制备具有牡丹花状表面形貌的PbS薄膜的化学方法。具体为溶剂热法，它是将Pb箔片和硫粉依次放入盛有无水乙醇和乙二胺为溶剂的聚四氟乙烯反应釜中，乙二胺与无水乙醇体积比为4：0至6：1，在160oC下反应12小时，反应结束后，自然冷却至室温，产物用无水乙醇清洗3次以上，干燥即得。反应中仅用乙二胺做溶剂或乙二胺中加少量无水乙醇可原位大面积制备具有牡丹花状表面结构的PbS薄膜，在乙醇中不加乙二胺则得到PbS和PbSO4混合物。改变乙二胺和乙醇的体积比可实现对PbS表面形貌的控制。在所制备的薄膜表面，牡丹花状的PbS微晶植根于Pb箔片上，它们具有确定的生长方向并形成有序的单层排列结构。本方法简单、产物是独特的三维表面结构的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900945B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510191474.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开在ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法，应用硫粉的低温升华特性,在密闭的充满氮气的反应釜内，在溅射有单质铅膜的氧化铟锡导电玻璃(ITO)衬底上，在低温的条件下，元素直接反应，原位生长PbS薄膜，反应釜内充满氮气而不是任何的溶剂做反应介质。在ITO玻璃衬底上，溅射一层均匀致密的Pb膜并通过膜厚监控系统控制所溅射的Pb膜厚度。在150摄氏度左右的温度下，升华出来的硫和ITO玻璃衬底上的Pb膜发生元素直接反应并在衬底上原位生成PbS薄膜;为了防止S蒸汽遇到镀有Pb膜的ITO衬底再次冷凝成S膜而覆盖在Pb膜上阻隔后续的元素直接反应，我们将Pb膜朝下摆放并错开S源。该PbS薄膜具有独特的双层结构并紧密吸附在衬底上，是一种绿色环保制备技术。
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公开(公告)号：CN104900945A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510191474.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: H01M14/005 , C03C17/22
Abstract: 本发明公开在ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法，应用硫粉的低温升华特性,在密闭的充满氮气的反应釜内，在溅射有单质铅膜的氧化铟锡导电玻璃(ITO)衬底上，在低温的条件下，元素直接反应，原位生长PbS薄膜，反应釜内充满氮气而不是任何的溶剂做反应介质。在ITO玻璃衬底上，溅射一层均匀致密的Pb膜并通过膜厚监控系统控制所溅射的Pb膜厚度。在150摄氏度左右的温度下，升华出来的硫和ITO玻璃衬底上的Pb膜发生元素直接反应并在衬底上原位生成PbS薄膜;为了防止S蒸汽遇到镀有Pb膜的ITO衬底再次冷凝成S膜而覆盖在Pb膜上阻隔后续的元素直接反应，我们将Pb膜朝下摆放并错开S源。该PbS薄膜具有独特的双层结构并紧密吸附在衬底上，是一种绿色环保制备技术。
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公开(公告)号：CN105177499B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510264931.7
申请日：2015-05-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法。把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上(Emitech,K950X)。把合适尺寸的前驱体，0.1‑0.3 g，放在 W篮里关闭该室。在室温下，把该室抽成1.0×10‑3‑1.0×10‑5 mbar的真空，通过调整穿过W篮的电流来控制蒸发速度。首先，电流从0 A缓慢增加到6‑10 A，然后等待直到 W篮变成红色。然后，电流进一步增至13‑20 A并保持 5‑10 s，最后，降低电流为 0 A 来完成整个蒸发过程。本发明采用单源热蒸发技术，避免了多元热蒸发技术里对每个蒸发源的复杂控制问题；采用富元素Cd的CdS QDS为前躯体，该制备方法为室温共沉淀法，易操作且产率很高。
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公开(公告)号：CN105177499A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510264931.7
申请日：2015-05-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法。把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上(Emitech,K950X)。把合适尺寸的前驱体，0.1-0.3g，放在W篮里关闭该室。在室温下，把该室抽成1.0×10-3-1.0×10-5mbar的真空，通过调整穿过W篮的电流来控制蒸发速度。首先，电流从0A缓慢增加到6-10A，然后等待直到W篮变成红色。然后，电流进一步增至13-20A并保持5-10s，最后，降低电流为0A来完成整个蒸发过程。本发明采用单源热蒸发技术，避免了多元热蒸发技术里对每个蒸发源的复杂控制问题；采用富元素Cd的CdS QDS为前躯体，该制备方法为室温共沉淀法，易操作且产率很高。
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公开(公告)号：CN102674440B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210160877.8
申请日：2012-05-23
Applicant: 许昌学院
IPC: C01G21/21
Abstract: 一种乙二胺辅助原位制备具有牡丹花状表面形貌的PbS薄膜的化学方法。具体为溶剂热法，它是将Pb箔片和硫粉依次放入盛有无水乙醇和乙二胺为溶剂的聚四氟乙烯反应釜中，乙二胺与无水乙醇体积比为4：0至6：1，在160oC下反应12小时，反应结束后，自然冷却至室温，产物用无水乙醇清洗3次以上，干燥即得。反应中仅用乙二胺做溶剂或乙二胺中加少量无水乙醇可原位大面积制备具有牡丹花状表面结构的PbS薄膜，在乙醇中不加乙二胺则得到PbS和PbSO4混合物。改变乙二胺和乙醇的体积比可实现对PbS表面形貌的控制。在所制备的薄膜表面，牡丹花状的PbS微晶植根于Pb箔片上，它们具有确定的生长方向并形成有序的单层排列结构。本方法简单、产物是独特的三维表面结构的薄膜。
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