-
公开(公告)号：CN102054483B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010536310.7
申请日：2010-11-03
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3163 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本文涉及通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法。公开了制造穿隧磁阻(TMR)读取头的方法。本发明提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。在所述TMR结构上进行第一热退火工艺。在所述TMR结构上进行读取头图案限定工艺以得到图案化的TMR读取头。在所述图案化的TMR结构上进行第二热退火工艺。
-
公开(公告)号：CN102097101A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010585835.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/37
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明提供用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统。描述一种用于提供磁式变换器中的磁结构的方法和系统。该方法和系统包括提供钉扎层、与钉扎层相邻的合成反铁磁介质(SAF)、非磁性层和传感器层。SAF位于非磁性层与钉扎层之间。非磁性层位于SAF层与传感器层之间。SAF包括被钉扎层、参考层和在被钉扎层与参考层之间的非磁性分隔层。被钉扎层被磁性耦合于参考层并且包括多个子层。第一子层具有第一截止温度分布(TBD)和第一交换能量。第二子层具有第二TBD和第二交换能量。第一子层在钉扎层与第二子层之间。第一TBD大于第二TBD。第一交换能量小于第二交换能量。
-
公开(公告)号：CN102097101B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010585835.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/37
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明提供用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统。描述一种用于提供磁式变换器中的磁结构的方法和系统。该方法和系统包括提供钉扎层、与钉扎层相邻的合成反铁磁介质(SAF)、非磁性层和传感器层。SAF位于非磁性层与钉扎层之间。非磁性层位于SAF层与传感器层之间。SAF包括被钉扎层、参考层和在被钉扎层与参考层之间的非磁性分隔层。被钉扎层被磁性耦合于参考层并且包括多个子层。第一子层具有第一截止温度分布(TBD)和第一交换能量。第二子层具有第二TBD和第二交换能量。第一子层在钉扎层与第二子层之间。第一TBD大于第二TBD。第一交换能量小于第二交换能量。
-
公开(公告)号：CN102054483A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010536310.7
申请日：2010-11-03
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3163 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本文涉及通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法。公开了制造穿隧磁阻(TMR)读取头的方法。本发明提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。在所述TMR结构上进行第一热退火工艺。在所述TMR结构上进行读取头图案限定工艺以得到图案化的TMR读取头。在所述图案化的TMR结构上进行第二热退火工艺。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.04 seconds)
