公开(公告)号：CN113984251B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202111249438.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨昊泽 ,  姚景梅 ,  刘雨晗 ,  付伟 ,  冯思雨

IPC: G01L1/18

Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法，通过在不连接引线的传感器半成品上，集成一个具有四个电阻的电阻网络，在四个电阻背面开腔，当压力作用在腔体背面时，电阻阻值会发生变化，网络的输出也会发生变化，在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1，使得传感器半成品的零位电压稳定，之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2，用以对温度系数产生电路的影响进行补偿；分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2，并完成组装，在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似，将晶圆上的芯片进行分类，进行批量厚膜电阻调值，随后进行匹配，组装成成品测试，能够批量化的解决芯片组装完成后，零位电压、温度特性差异较大的问题。

公开(公告)号：CN113984251A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111249438.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨昊泽 ,  姚景梅 ,  刘雨晗 ,  付伟 ,  冯思雨

IPC: G01L1/18

Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法，通过在不连接引线的传感器半成品上，集成一个具有四个电阻的电阻网络，在四个电阻背面开腔，当压力作用在腔体背面时，电阻阻值会发生变化，网络的输出也会发生变化，在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1，使得传感器半成品的零位电压稳定，之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2，用以对温度系数产生电路的影响进行补偿；分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2，并完成组装，在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似，将晶圆上的芯片进行分类，进行批量厚膜电阻调值，随后进行匹配，组装成成品测试，能够批量化的解决芯片组装完成后，零位电压、温度特性差异较大的问题。