一种硅压阻式压力传感器的调试方法

    公开(公告)号:CN113984251B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202111249438.X

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法,通过在不连接引线的传感器半成品上,集成一个具有四个电阻的电阻网络,在四个电阻背面开腔,当压力作用在腔体背面时,电阻阻值会发生变化,网络的输出也会发生变化,在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1,使得传感器半成品的零位电压稳定,之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2,用以对温度系数产生电路的影响进行补偿;分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2,并完成组装,在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似,将晶圆上的芯片进行分类,进行批量厚膜电阻调值,随后进行匹配,组装成成品测试,能够批量化的解决芯片组装完成后,零位电压、温度特性差异较大的问题。

    一种硅压阻式压力传感器的调试方法

    公开(公告)号:CN113984251A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111249438.X

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法,通过在不连接引线的传感器半成品上,集成一个具有四个电阻的电阻网络,在四个电阻背面开腔,当压力作用在腔体背面时,电阻阻值会发生变化,网络的输出也会发生变化,在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1,使得传感器半成品的零位电压稳定,之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2,用以对温度系数产生电路的影响进行补偿;分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2,并完成组装,在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似,将晶圆上的芯片进行分类,进行批量厚膜电阻调值,随后进行匹配,组装成成品测试,能够批量化的解决芯片组装完成后,零位电压、温度特性差异较大的问题。

    一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构及方法

    公开(公告)号:CN113973429A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111249459.1

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本发明一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构及方法,通过重新对上下层基板进行布局,下层基板在上下层接插件互联的区域以及外引线的区域挖孔并设置焊盘,上层基板仅在接插件焊接的区域挖孔设置焊盘。通过合理设置接插件焊盘的位置,可以在上层基板中心位置预留出一片区域放置封装形式为SOP‑8的塑封器件,在该器件的背面同样可以放置一只SOP‑8的器件,这样布线就可以大大减少模块的尺寸,使用接插件实现互联的方式较单层基板的方案尺寸缩减了三分之二以上,较引线反向延伸互联的方案,尺寸缩减了50%以上,大大的提高了隔离栅极驱动器模块的适应性,使得在实际使用过程中能够节省安装空间。

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