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公开(公告)号:CN114951840B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202210621257.3
申请日:2022-06-02
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种齿轮数控化学机械抛光装置及方法,其中,抛光装置包括机架、数控模块、抛光模块、分度模块、装夹模块和辅助模块。数控模块控制抛光模块和分度模块运动,依照设定程序,抛光模块的小抛光头在齿面上进行仿形运动并高速转动,在抛光垫和化学机械抛光液的协同作用下,实现齿面逐点仿形抛光,在单齿抛光完成后,分度模块将下一个齿旋转至工作位置,重复进行单齿抛光,直至完成所有齿。化学机械抛光液包括0.01~40wt%的胶体二氧化硅、0~10wt%的有机羧酸、0~10wt%的过氧化氢、剩余为水,pH值2‑11。本发明采用数控逐点仿形抛光,可以实现齿面保形加工,利用化学机械协同作用,可以加工实现光滑齿面,同时化学机械抛光液绿色环保。
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公开(公告)号:CN114700870B
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202210197054.6
申请日:2022-03-01
Applicant: 西南交通大学
IPC: B24B37/02 , B24B37/11 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B41/02 , B24B47/12 , B24B41/04 , B24B57/02 , B24B1/00 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种轴承套圈接触式超精密化学机械抛光装置及方法,抛光装置包括第一调心模块、第二调心模块、样品旋转模块、样品夹持模块、抛光模块和机座;第二调心模块调节样品夹持模块位置,带动样品夹持模块上的套圈,使套圈与样品旋转模块同轴,第一调心模块调节抛光模块位置,带动抛光模块上的抛光头,使抛光头与套圈同轴。抛光头高速旋转进行抛光,样品低速旋转均化误差,配合实现套圈超精密抛光。化学机械抛光液包括0.01~40wt%的胶体二氧化硅、0~10wt%的过氧化氢、剩余为水,pH值2‑11。本发明针对性设计内、外套圈抛光头和夹具;控制样品旋转模块和抛光模块转速,均化误差,实现套圈表面均匀抛光;针对不锈轴承钢设计抛光液,实现纳米级表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN114939803B
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202210572967.1
申请日:2022-05-25
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于3D打印不锈钢流道精密加工的装置及方法,加工装置包括机架、样品装夹模块、拉簧定位模块、加工模块、复合运动模块和辅助模块,样品装夹模块将待加工样品装夹定位,拉簧定位模块夹持加工模块一端,复合运动模块夹持加工模块另一端,带动加工模块高速运动,辅助模块按需供给加工液,加工模块将加工液带入接触区域,实现流道表面加工。加工过程分为机械研磨和化学机械抛光,抛光阶段的化学机械抛光液包含0.01~40wt%的胶体二氧化硅、0~10wt%的过氧化氢、水,pH值2‑11。针对3D打印不锈钢流道,本发明提出机械研磨和化学机械抛光两步加工方法,设计加工装置,研发化学机械抛光液,实现流道表面高质高效加工,加工后表面粗糙度达到纳米级。
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公开(公告)号:CN109437085A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811249602.5
申请日:2018-10-25
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法,包括以下步骤:S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质;S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工;S3、配置刻蚀溶液,并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌器中水浴加热并保持恒温,调制转子转速并保持恒定;S4、将经步骤S2处理后的单晶硅样品冲洗之后,浸入到步骤S3的容器中进行刻蚀,刻蚀时间为10~30min,取出并再次分别对单晶硅样品表面进行清洗即可。该方法通过在化学刻蚀中施加外场的方法来保持刻蚀溶液的高速流动,从而及时有效地带走单晶硅表面生成的反应产物,保证单晶硅表面微/纳结构的质量,同时加快了化学刻蚀的效率且不会对纳米结构造成任何损伤。
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公开(公告)号:CN106744671A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611077168.8
申请日:2016-11-30
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种基于紫外臭氧的单晶硅表面纳米加工方法,该方法不但可以简单快速的在单晶硅样品形成一层致密且均匀的硅氧化物(SiOX)薄层,而且可以获得具有大量羟基(‑OH)的超亲水表面。结合扫描探针设备上的SiO2探针和摩擦化学的原理,可以在不引起单晶硅基底产生损伤的情况下,在单晶硅表面加工出各种纳米结构。
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公开(公告)号:CN119550228A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202411752658.8
申请日:2024-12-02
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提出了一种气液阵列射流辅助的浮动抛光装置和方法,涉及抛光设备技术领域。包括:基架上设置有抛光箱,抛光箱内设置有抛光盘,抛光盘的上端面呈同心圆设置多个环形凹槽,每个凹槽槽脊上设置一组环形射流孔,每个孔间有固定距离;抛光盘的上方设置有可浮动的样件夹持装置,该装置通过连杆和竖直通槽配合留有轴向自由度;抛光盘的下方设置射流装置;抛光箱内设置有底座,底座上固定转台,转台上连接旋转盘,抛光盘设置在旋转盘上,旋转盘存有凹陷部,上端与抛光盘连接形成射流腔,射流腔与加压装置连接,射流孔贯穿抛光盘与射流腔连通;与现有技术相比,其可实现粗抛光、精抛光和原子级抛光,大大降低抛光工作步骤、时间,并节约设备成本。
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公开(公告)号:CN110757257B
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN201911085505.1
申请日:2019-11-08
Abstract: 一种面向复杂曲面加工的三电极体系可控电化学辅助力流变超精密抛光装置,包括工作电极模块、对电极模块、参比电极模块、电化学工作站、力流变抛光机、抛光液池和力流变抛光液,工作电极模块固定安装在力流变抛光机上,抛光工件作为工作电极与抛光液池内的力流变抛光液接触,与电化学工作站连接;对电极模块固定安装在力流变抛光机上,对电极与力流变抛光液接触,与电化学工作站相连;参比电极模块固定安装在力流变抛光机上,参比电极与力流变抛光液接触,与电化学工作站相连。本发明通过优化电化学反应和力流变机械力的协同作用,实现复杂曲面高表面完整性加工。同时,力流变抛光液是水基溶液,比热容大,可以有效抑制热的影响。
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公开(公告)号:CN116493233A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310175742.7
申请日:2023-02-28
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开的一种复杂曲面超声振动辅助CMP的超声装置,包括:连接外壳、前盖板、超声振子、散热装置,所述前盖板、连接外壳、散热装置依次连接,所述超声振子连接在所述前盖板末端,所述超声振子与散热装置均与外接动力源的转轴连接,所述前盖板为三段变幅杆结构,所述三段变幅杆结构的中间段盖体是母线为指数函数的圆台结构,所述中间段盖体两端连接有柱状结构与之共同构成三段变幅杆结构,本发明选用指数型结构可以在获得足够振幅的情况下保证频率获得最小的内应力,满足前述两点后充分保证了系统的稳定性,并且取得了最短的轴向尺寸,与现有技术中多级变幅杆相比稳定性更佳。
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公开(公告)号:CN114952635A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210604223.3
申请日:2022-05-30
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超声空化辅助淹没脉动气射流抛光系统,用于对工件在浸没状态下进行抛光,包括脉动气射流喷射装置、超声施加装置、作业箱体:脉动气射流喷射装置,包括用于向喷嘴实施脉冲供气的管路,喷嘴以一定角度朝向工件;超声施加装置,包括配合设置的超声换能器和超声聚能器,超声聚能器至少在工作状态下向工件聚焦超声波;超声波在工件上聚焦形成汇集区域,喷嘴在工件上形成冲击区域,汇集区域和冲击区域至少部分重合。本发明优化了抛光系统方案,综合超声空化以及气射流技术,满足不同表面的抛光需求,有效改善了抛光质量和效率。
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公开(公告)号:CN113045993A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110319145.8
申请日:2021-03-25
Applicant: 西南交通大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于加工超光滑低损伤轴承钢表面的抛光液及其应用,抛光液包括以下组分:0.01~40wt%的研磨颗粒、0.01~10wt%的金属氧化剂、0.01~10wt%的金属络合剂、0.01~2wt%的复配金属缓蚀剂,其余组分为去离子水,以及少量pH值调节剂;所述pH值调节剂用于调节抛光液的pH值为2~10。与现有技术相比,本发明的抛光液将氮唑类化合物和噻唑类化合物组合作为复配金属缓蚀剂,通过多种金属缓蚀剂的协同作用,在添加更少量的条件下,提高轴承钢表面粗糙峰凹陷处材料去除的机械作用阈值,使轴承钢获得亚纳米级表面粗糙度和趋近于零的亚表面损伤。
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