公开(公告)号：CN103219439B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310144195.2

申请日：2013-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  邢贺 ,  张桂菊 ,  王钦华 ,  俞强 ,  何舜宇

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列，由纳米颗粒构成线光栅的偏振结构，以获得偏振出光，其光栅周期为50～400nm,占空比为0.2～0.9，厚度为50～400nm纳米，纳米颗粒的直径为5～200nm。与现有技术线光栅偏振器相比，本发明提供的偏振出光发光二极管制备简便，降低成本，且具有良好的偏振消光比和透过率。

公开(公告)号：CN103219439A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310144195.2

申请日：2013-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  邢贺 ,  张桂菊 ,  王钦华 ,  俞强 ,  何舜宇

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列，由纳米颗粒构成线光栅的偏振结构，以获得偏振出光，其光栅周期为50～400nm,占空比为0.2～0.9，厚度为50～400nm纳米，纳米颗粒的直径为5～200nm。与现有技术线光栅偏振器相比，本发明提供的偏振出光发光二极管制备简便，降低成本，且具有良好的偏振消光比和透过率。