公开(公告)号：CN111276465B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201911223913.9

申请日：2019-12-04

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： 陈宝箴 ,  L·D·费尔南多 ,  M·G·欧哈罗兰 ,  A·W·肖

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开涉及高密度自路由金属氧化物金属电容器。用于集成电路的自路由电容器，具有：包括第一基础区域和第一指状物的第一电极，第一指状物从第一基础区域的壁沿第一方向延伸；包括第二基础区域和第二指状物的第二电极，第二指状物从第二基础区域的壁沿基本上平行于第一方向并与第一方向相反的第二方向延伸，第二指状物耦合到第一指状物；包括第三基础区域和第三指状物的第三电极，第三指状物从第二基础的第一壁沿第二方向延伸；和包括第四指状物的第四电极，第四指状物从第三基础区域的第二壁沿第一方向延伸。电容器通过电极的基础区域耦合到其他金属层。

公开(公告)号：CN111276465A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911223913.9

申请日：2019-12-04

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： 陈宝箴 ,  L·D·费尔南多 ,  M·G·欧哈罗兰 ,  A·W·肖

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开涉及高密度自路由金属氧化物金属电容器。用于集成电路的自路由电容器，具有：包括第一基极区域和第一指状物的第一电极，第一指状物从第一基极区域的壁沿第一方向延伸；包括第二基极区域和第二指状物的第二电极，第二指状物从第二基极区域的壁沿基本上平行于第一方向并与第一方向相反的第二方向延伸，第二指状物耦合到第一指状物；包括第三基极区域和第三指状物的第三电极，第三指状物从第二基极的第一壁沿第二方向延伸；和包括第四指状物的第四电极，第四指状物从第三基极区域的第二壁沿第一方向延伸。电容器通过电极的基极区域耦合到其他金属层。