公开(公告)号：CN102026909A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200880129170.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·克拉梅尔 ,  M·柏林格 ,  S·平特 ,  H·本泽尔 ,  M·伊林 ,  F·哈格 ,  S·安布鲁斯特

IPC: B81C1/00

Abstract: 提出一种用于制造芯片(1，2)的方法，其中，首先在半导体衬底(10)的表面层中生成至少一个跨越空穴(13)的薄膜(11，12)。随后将芯片(1，2)的功能性集成到所述薄膜(11，12)中。为了将芯片(1，2)分成单个，将薄膜(11，12)从衬底接合部脱开。根据本发明，应当在将芯片(1，2)从衬底接合部脱出之前在电镀工艺中对芯片背面进行金属化。

公开(公告)号：CN102026909B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200880129170.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·克拉梅尔 ,  M·柏林格 ,  S·平特 ,  H·本泽尔 ,  M·伊林 ,  F·哈格 ,  S·安布鲁斯特

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提出一种用于制造芯片(1，2)的方法，其中，首先在半导体衬底(10)的表面层中生成至少一个跨越空穴(13)的薄膜(11，12)。随后将芯片(1，2)的功能性集成到所述薄膜(11，12)中。为了将芯片(1，2)分成单个，将薄膜(11，12)从衬底接合部脱开。根据本发明，应当在将芯片(1，2)从衬底接合部脱出之前在电镀工艺中对芯片背面进行金属化。