公开(公告)号：CN101714566B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200910179411.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中勉 ,  高德真人 ,  千田满 ,  石原圭一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/02 ,  H01L31/102 ,  H01L31/101 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/145

Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。

公开(公告)号：CN101527167B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200910130790.4

申请日：2009-02-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·P·戈赛恩 ,  高德真人 ,  仲岛义晴 ,  田中勉

IPC: G11C11/40 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G11C13/0002

Abstract: 本发明提供一种可以组装到有源矩阵型显示装置的像素中的超小型存储元件。本发明的存储元件(1)由薄膜晶体管(TFT)和可变电阻元件(ReRAM)并联连接而构成。可变电阻元件(ReRAM)由与薄膜晶体管(TFT)的输入端侧连接的一导电层、与薄膜晶体管(TFT)的输出端侧连接的另一导电层、以及配置在两导电层之间的至少一层氧化膜层构成，根据施加到栅极上的电压，薄膜晶体管(TFT)处于断开状态时，可变电阻元件(ReRAM)根据从输入端施加的电压在低电阻状态(LRS)和高电阻状态(HRS)之间变化，写入对应的二值数据。

公开(公告)号：CN101714566A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910179411.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中勉 ,  高德真人 ,  千田满 ,  石原圭一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/02 ,  H01L31/102 ,  H01L31/101 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/145

Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。

公开(公告)号：CN101636691A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880009062.1

申请日：2008-09-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  高德真人

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765

Abstract: 在同一基板上方形成开关元件和光传感器元件的情况下，当为了提高光传感器元件的灵敏度而增大活性层的膜厚度时，会对开关元件(TFT)的特性产生不利影响。在本发明的显示器的结构中，在以矩阵状设有多个像素的玻璃基板(5)上方的栅极绝缘膜(24)上设有沟道层(25)和光电转换层(35)，该沟道层(25)构成用于形成像素的开关元件的薄膜晶体管，该光电转换层(35)构成光传感器元件。光电转换层(35)被形成为比沟道层(25)厚，并且/或者光电转换层(35)由与沟道层(25)的材料不同的材料形成，因而使得光电转换层(35)的光吸收系数高于沟道层(25)的光吸收系数。

公开(公告)号：CN101527167A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910130790.4

申请日：2009-02-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·P·戈赛恩 ,  高德真人 ,  仲岛义晴 ,  田中勉

IPC: G11C11/40 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G11C13/0002

Abstract: 本发明提供一种可以组装到有源矩阵型显示装置的像素中的超小型存储元件。本发明的存储元件(1)由薄膜晶体管(TFT)和可变电阻元件(ReRAM)并联连接而构成。可变电阻元件(ReRAM)由与薄膜晶体管(TFT)的输入端侧连接的一导电层、与薄膜晶体管(TFT)的输出端侧连接的另一导电层、以及配置在两导电层之间的至少一层氧化膜层构成，根据施加到栅极上的电压，薄膜晶体管(TFT)处于断开状态时，可变电阻元件(ReRAM)根据从输入端施加的电压在低电阻状态(LRS)和高电阻状态(HRS)之间变化，写入对应的二值数据。

公开(公告)号：CN101414436A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810171517.1

申请日：2008-10-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高德真人

IPC: G09G3/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

CPC classification number: G09G3/3659 ,  G09G2300/0842

Abstract: 本发明提供了一种存储元件，其包括：被构造为具有半导体薄膜和一对栅电极的薄膜晶体管，所述一对栅电极隔着绝缘膜将所述半导体薄膜垂直地夹在中间；以及被构造为与所述一对栅电极的第一栅电极相连的电容器，其中，与所述第一栅电极相连的所述电容器中存储有数据，并且通过控制所述一对栅电极的第二栅电极来将存储在所述电容器中的数据读出。