公开(公告)号：CN1675969A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818815.5

申请日：2003-08-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 近藤真一郎

IPC: H05K5/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: G09B21/004 ,  F16F9/532 ,  G09F9/372

Abstract: 一种电流变流体装置和电子设备，在所述装置或设备的与人体接触的部分中实现各种硬度或张力，所述装置和设备能应用于需要具有可携带性的产品。通过包括以下部件而形成电流变流体装置，所述部件为：能在内部包含流体的容器；具有柔性的一对电极，其中，所述电极布置在所述容器内以便互相相对；以及，根据在所述电极之间产生的电场而具有可变弹性的电流变流体，所述电流变流体包含在所述容器内并布置在所述电极之间。通过对各种电子设备使用电流变流体装置，可在电气上控制设备的硬度、张力、纹理、形状等。

公开(公告)号：CN1783530A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510131514.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 保原大介 ,  近藤真一郎

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0084 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/426

Abstract: 一种半导体器件，包括导体或半导体的细粒、以及与细粒相结合从而形成导电通路的有机半导体分子，导电通路的电导率通过电场来控制。在该半导体器件中，与相邻细粒相结合的保护膜分子彼此结合，形成使细粒彼此连接的有机半导体分子。

公开(公告)号：CN1783530B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200510131514.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 保原大介 ,  近藤真一郎

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0084 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/426

Abstract: 一种半导体器件，包括导体或半导体的细粒、以及与细粒相结合从而形成导电通路的有机半导体分子，导电通路的电导率通过电场来控制。在该半导体器件中，与相邻细粒相结合的保护膜分子彼此结合，形成使细粒彼此连接的有机半导体分子。

公开(公告)号：CN100440534C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03801738.5

申请日：2003-07-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田胜 ,  近藤真一郎 ,  安田亮一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4 ＇-联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。

公开(公告)号：CN1602551A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03801738.5

申请日：2003-07-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田胜 ,  近藤真一郎 ,  安田亮一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。