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公开(公告)号：CN101751991B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910251375.4
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线为直线并且相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101226769A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810004149.1
申请日：2008-01-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/934 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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公开(公告)号：CN101202325A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710198739.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/325 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN101060160A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096904.9
申请日：2007-04-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/309 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。
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公开(公告)号：CN101226769B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810004149.1
申请日：2008-01-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/934 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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公开(公告)号：CN101252144B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810006185.1
申请日：2008-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L43/08 , H01L23/522 , G11C11/16 , G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , Y10S977/933
Abstract: 本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
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公开(公告)号：CN100550193C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN03808694.8
申请日：2003-04-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种能够精确地读出存储在可变电阻存储元件中的数据的存储装置。该存储装置使用可变电阻存储元件，根据所存储数据的两种类型，这种可变电阻存储元件的电阻值在具有比参考电阻值高的电阻值的高电阻状态和具有比参考电阻值低的电阻值的低电阻状态之间变化。在两个设置为不同电位的参考电位端子之间，安排了并联的参考电路与存储电路。该参考电路由串联的电阻元件和参考电阻元件组成。该存储电路由串联的电阻元件和可变电阻存储元件组成。安排该参考电阻元件使得该电阻值可以修正。
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公开(公告)号：CN1647207A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808694.8
申请日：2003-04-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种能够精确地读出存储在可变电阻存储元件中的数据的存储装置。该存储装置使用可变电阻存储元件，根据所存储数据的两种类型，这种可变电阻存储元件的电阻值在具有比参考电阻值高的电阻值的高电阻状态和具有比参考电阻值低的电阻值的低电阻状态之间变化。在两个设置为不同电位的参考电位端子之间，安排了并联的参考电路与存储电路。该参考电路由串联的电阻元件和参考电阻元件组成。该存储电路由串联的电阻元件和可变电阻存储元件组成。安排该参考电阻元件使得该电阻值可以修正。
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公开(公告)号：CN101212018B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10-7Ωm或更大。
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公开(公告)号：CN101060160B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710096904.9
申请日：2007-04-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/309 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。
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