抗反射膜和曝光方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100524022C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200610073937.7

    申请日:2006-02-28

    CPC classification number: G03F7/091 G03F7/70341

    Abstract: 一种抗反射膜,其中,在浸液式平版印刷技术中,即使在曝光光线倾斜进入的地方,也能够在抗蚀剂层和硅衬底之间的界面处获得充分降低的反射率。两层抗反射膜用在通过波长为190-195nm并且数值孔径为1.0或更小的曝光系统的曝光中,并且形成于抗蚀剂层与硅衬底之间。抗反射膜的上层和下层的复折射率N1和N2以及膜厚度分别是由n1-k1i,n2-k2i和d1,d2表示的,并且选择值[n10,k10,d10,n20,k20,d20]的预定组合,n1,k1,d1,n2,k2和d2满足{(n1-n10)/(n1m-n10)}2+{(k1-k10)/(k1m-k10)}2+{(d1-d10)/(d1m-d10)}2+{(n2-n20)/(n2m-n20)}2+{(k2-k20)/(k2m-k20)}2+{(d2-d20)/(d2m-d20)}2≤1。

    光信号输入装置及使用该装置的电子设备

    公开(公告)号:CN100397122C

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200610009503.0

    申请日:2006-02-23

    CPC classification number: G02B6/43 G02B6/4204 H01S5/005

    Abstract: 一种光信号输入装置及使用该装置的电子设备,该光信号输入装置不减小聚光透镜的NA,入射到镜面上的光信号可满足全反射的条件。准直透镜(142)将从发光元件(161)输出的光信号(激光)(13)从发散光变为平行光。聚光透镜(104)将平行光向光波导通路(135)一端侧的波导通路口(138)聚光。光波导通路(135)将从该波导通路口(138)输入的光信号由45°镜面(135a)反射,在其长度方向上进行波导。将聚光透镜(104)的光轴相对准直透镜(142)的光轴向光波导通路(135)另一端侧(a侧)偏移距离d,使从准直透镜(142)输出的平行光移位,以使其主光线位置从透镜(104)的光轴位置向光波导通路(135)一端侧(b侧)离开距离d。

    曝光掩模及其生产方法和曝光方法

    公开(公告)号:CN1698014A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200480000081.X

    申请日:2004-01-28

    Inventor: 小泽谦

    Abstract: 提供了一种曝光掩模,其通过曝光以简单结构形成三维形状并获得足够的灰度值。在用于曝光设备(S)的曝光掩模(M)中,提供本发明使得:由阻挡从曝光设备(S)发出的光的挡光图案和透射所述光的透光图案的一对图案所构成的多个图案块连续地排列;同时所述连续图案块的间距为常数并且所述挡光图案对所述透光图案的比率是逐渐变化的。

    掩模校正方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1692311A

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN200380100470.5

    申请日:2003-12-19

    Inventor: 小泽谦

    CPC classification number: G03F1/36 G03F1/44 G03F1/68

    Abstract: 一种用于通过光学邻近效果校正光掩模的方法,使得可以降低在测试掩模和校正掩模之间的取决于图案密集度的线宽的误差的掩模间的差。本发明包括:步骤(s1),制作用作为所述光学邻近效果校正所需要的处理模型提取掩模的测试掩模;步骤(s2,s3),将所述测试掩模的掩模图案转印到晶片,并且测量转印图案的尺寸;步骤(s4),导出函数模型(被称为处理模型),使得通过使用函数模型所得的光掩模的掩模图案的转印图案的模拟结果匹配在所述测量步骤获得的测量结果;步骤(s5),通过使用所述处理模型而形成掩模图案,使得其转印图案匹配所述设计图案,并且按照所形成的掩模图案来在光掩模上创建掩模数据;步骤(s6),按照所述被创建的掩模数据制作校正掩模;曝光条件设置步骤(s7),当转印校正掩模时,通过控制曝光系统的数值孔径(NA)或光照条件(σ)的至少一个,来确定关于间距的幅度OPE特征变得平坦的条件。

    曝光掩模及其生产方法和曝光方法

    公开(公告)号:CN100587593C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200480000081.X

    申请日:2004-01-28

    Inventor: 小泽谦

    Abstract: 提供了一种曝光掩模,其通过曝光以简单结构形成三维形状并获得足够的灰度值。在用于曝光设备(S)的曝光掩模(M)中,提供本发明使得:由阻挡从曝光设备(S)发出的光的挡光图案和透射所述光的透光图案的一对图案所构成的多个图案块连续地排列;同时所述连续图案块的间距为常数并且所述挡光图案对所述透光图案的比率是逐渐变化的。

    抗反射膜和曝光方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1952788A

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200610148672.2

    申请日:2006-09-06

    Abstract: 在抗蚀剂层和形成在硅衬底表面上的氧化硅层之间提供抗反射膜,用于在具有190nm到195nm波长和0.93到1.2数值孔径NA的曝光系统中曝光抗蚀剂层。假设组成抗反射膜的上层和下层的复折射率分别是N1(=n1-k1i)和N2(=n2-k2i),并且两层的厚度为d1和d2,则当选择[n10、k10、d10、n20、k20、d20]的值的预定组合时,n1、k1、d1、n2、k2、和d2满足关系式{(n1-n10)/(n1m-n10)}2+{(k1-k10)/(k1m-k10)}2+{(d1-d10)/(d1m-d10)}2+{(n2-n20)/(n2m-n20)}2+{(k2-k20)/ (k2m-k20)}2+{(d2-d20)/(d2m-d20)}2≤1。

    掩模校正方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1325993C

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200380100470.5

    申请日:2003-12-19

    Inventor: 小泽谦

    CPC classification number: G03F1/36 G03F1/44 G03F1/68

    Abstract: 一种用于通过光学邻近效果校正光掩模的方法,使得可以降低在测试掩模和校正掩模之间的取决于图案密集度的线宽的误差的掩模间的差。本发明包括:步骤(s1),制作用作为所述光学邻近效果校正所需要的处理模型提取掩模的测试掩模;步骤(s2,s3),将所述测试掩模的掩模图案转印到晶片,并且测量转印图案的尺寸;步骤(s4),导出函数模型(被称为处理模型),使得通过使用函数模型所得的光掩模的掩模图案的转印图案的模拟结果匹配在所述测量步骤获得的测量结果;步骤(s5),通过使用所述处理模型而形成掩模图案,使得其转印图案匹配所述设计图案,并且按照所形成的掩模图案来在光掩模上创建掩模数据;步骤(s6),按照所述被创建的掩模数据制作校正掩模;曝光条件设置步骤(s7),当转印校正掩模时,通过控制曝光系统的数值孔径(NA)或光照条件(σ)的至少一个,来确定关于间距的幅度OPE特征变得平坦的条件。

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