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公开(公告)号：CN101688292A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021999.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B1/115 , C23C14/06 , C23C14/3464
Abstract: 本发明提供了一种低折射率膜的沉积方法、通过低折射率膜的沉积方法沉积的低折射率膜、以及包括该低折射率膜的防反射膜，通过该方法可以形成具有均匀的膜内组成分布并且具有低折射率的薄膜。在包括通过反应性溅射法在基板(11)上沉积由MgF 2 -SiO 2 构成的低折射率膜的低折射率膜的沉积方法中，使用由MgF 2 -SiO 2 的烧结体构成的靶(4A，4B)、通过在惰性气体和O 2 的混合气体的气氛中在基板(11)与靶(4A，4B)之间施加频率在20至90KHz范围内的交流电压来进行溅射沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101068327A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710109705.7
申请日：2007-04-18
Applicant: 索尼株式会社 , 索尼德国有限责任公司
CPC classification number: G02B27/149 , G02B27/1046 , G02B27/145 , H04N9/3105 , H04N9/317
Abstract: 本发明提供了一种复合光学元件。该复合光学元件包括多个光学元件，在这些光学元件中至少一个光学元件由改变光路的元件形成，其他光学元件结合至该改变光路的元件的入射面和/或出射面，低折射率材料层位于结合的两者之间。
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公开(公告)号：CN101688292B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880021999.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B1/115 , C23C14/06 , C23C14/3464
Abstract: 本发明提供了一种低折射率膜的沉积方法、通过低折射率膜的沉积方法沉积的低折射率膜、以及包括该低折射率膜的防反射膜，通过该方法可以形成具有均匀的膜内组成分布并且具有低折射率的薄膜。在包括通过反应性溅射法在基板(11)上沉积由MgF2-SiO2构成的低折射率膜的低折射率膜的沉积方法中，使用由MgF2-SiO2的烧结体构成的靶(4A，4B)、通过在惰性气体和O2的混合气体的气氛中在基板(11)与靶(4A，4B)之间施加频率在20至90kHz范围内的交流电压来进行溅射沉积。
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公开(公告)号：CN100593325C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200710109705.7
申请日：2007-04-18
Applicant: 索尼株式会社 , 索尼德国有限责任公司
CPC classification number: G02B27/149 , G02B27/1046 , G02B27/145 , H04N9/3105 , H04N9/317
Abstract: 本发明提供了一种复合光学元件。该复合光学元件包括多个光学元件，在这些光学元件中至少一个光学元件由改变光路的元件形成，其他光学元件结合至该改变光路的元件的入射面和/或出射面，低折射率材料层位于结合的两者之间。
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