公开(公告)号：CN101197388B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200710306666.X

申请日：2007-10-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤麻纪 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种具有排列成二维矩阵的多个像素的成像区域和检测来自像素的输出信号的外围电路的固态成像装置及其制造方法，并且提供了具有该固态成像装置的电子装置。每个像素的晶体管中的杂质浓度低于外围电路的晶体管中的杂质浓度。此外，像素的浮置扩散部下方的半导体阱区的杂质浓度设置成低于在浮置扩散部的后段的晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101197388A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710306666.X

申请日：2007-10-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤麻纪 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种具有排列成二维矩阵的多个像素的成像区域和检测来自像素的输出信号的外围电路的固态成像装置及其制造方法，并且提供了具有该固态成像装置的电子装置。每个像素的晶体管中的杂质浓度低于外围电路的晶体管中的杂质浓度。此外，像素的浮置扩散部下方的半导体阱区的杂质浓度设置成低于在浮置扩散部的后段的晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。