公开(公告)号：CN103620865A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280031363.0

申请日：2012-06-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 折桥正树 ,  宫下宽子 ,  熊谷洁 ,  松田贤治 ,  佐鸟浩太郎

IPC: H01M14/00

CPC classification number: H01G9/2059 ,  C09B57/10 ,  C09B67/0086 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0086 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/542 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明提供一种能够通过抑制色素脱附或凝集来抑制长期性能下降的光电转换装置、电子设备和建筑物。所述光电转换装置包括导电层；多孔半导体层；对电极；和电解质层。所述多孔半导体层包含色素和癸基膦酸或其他磷化合物，和所述磷化合物与所述色素的摩尔比为0.5以上。

公开(公告)号：CN101826557B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010125208.8

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  宫下宽子 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置，其能够抑制铝扩散到氧化物半导体中，并选择性地刻蚀氧化物半导体和氧化铝。薄膜晶体管包括：栅极电极；沟道层，其主要成分是氧化物半导体；栅极绝缘膜，其设置在栅极电极和沟道层之间；密封层，其设置在沟道层的与栅极电极相对的一侧上；以及一对电极，其与沟道层接触并用作源极和漏极。密封层至少包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；以及第二绝缘膜，其由具有对氧化物半导体和第一绝缘材料每一者的刻蚀选择性的第二绝缘材料制成，并且设置在第一绝缘膜和沟道层之间。

公开(公告)号：CN102737849A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210084347.X

申请日：2012-03-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宫下宽子 ,  高木裕登 ,  诸冈正浩 ,  森川慎一郎

IPC: H01G9/008 ,  H01G9/20 ,  H01B1/16

CPC classification number: H01B1/16 ,  C03C8/04 ,  C03C8/18 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01G9/2068 ,  H01G9/2081 ,  H01L51/445 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制造光电转换元件的方法、光电转换元件和电子装置。制造光电转换元件的方法包括：当制造具有电解质层设置在透明导电衬底上的多孔电极和对电极之间的结构的光电转换元件时，使用导电膏在透明导电衬底上形成集电接线，导电膏中包括银颗粒和低熔点玻璃料。

公开(公告)号：CN101826557A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010125208.8

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  宫下宽子 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置，其能够抑制铝扩散到氧化物半导体中，并选择性地刻蚀氧化物半导体和氧化铝。薄膜晶体管包括：栅极电极；沟道层，其主要成分是氧化物半导体；栅极绝缘膜，其设置在栅极电极和沟道层之间；密封层，其设置在沟道层的与栅极电极相对的一侧上；以及一对电极，其与沟道层接触并用作源极和漏极。密封层至少包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；以及第二绝缘膜，其由具有对氧化物半导体和第一绝缘材料每一者的刻蚀选择性的第二绝缘材料制成，并且设置在第一绝缘膜和沟道层之间。