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公开(公告)号：CN1591136A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410075178.9
申请日：2004-09-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/133 , G03B21/00
CPC classification number: G02F1/13378 , G02F1/133723 , G02F2001/133776 , G02F2001/133792 , Y10T428/1009
Abstract: 一种无机取向膜、具有这种无机取向膜的电子设备用基板、液晶面板和电子仪器、以及这种无机取向膜的形成方法，本发明的无机取向膜的形成方法，是在基材上形成无机取向膜的方法，其特征在于，包括：第一研磨工序，对基材的形成了无机取向膜的面，从相对该面的垂直方向仅倾斜了预定的角度θa的方向照射离子束；成膜工序，在照射了离子束的基材上形成主要由无机材料构成的膜；第二研磨工序，从相对该表面的垂直方向仅倾斜了预定的角度θb的方向向所述膜的表面照射离子束。根据本发明提供耐光性好、且可产生预倾角的无机取向膜。
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公开(公告)号：CN100354725C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410074939.9
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , B32B17/06 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/10 , B32B17/06 , C23C14/226 , C23C14/35 , G02F1/133734 , Y10T428/1005 , Y10T428/1045
Abstract: 本发明提供一种耐光性优异、并且能够使之发生预倾斜角的无机取向膜，配备有这种无机取向膜的电子器件用基板、液晶面板及电子设备，以及形成这种无机取向膜的形成方法。本发明的无机取向膜的形成方法，利用磁控溅射法在基材上形成无机取向膜，其中，令前述基材附近的气氛的压力，在5.0×10-2Pa以下，使等离子体碰撞与前述基材对向设置的靶，引出溅射粒子，将前述溅射粒子从相对于前述基材的形成前述无机取向膜的面的垂直方向倾斜规定的角度θs的方向，照射到前述基材上，在前述基材上，形成主要由无机材料构成的无机取向膜。规定的角度度θs，在60°以上。基材与靶的距离，在150mm以上。
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公开(公告)号：CN1591135A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074949.2
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/133 , G06F3/147 , H04M1/02 , H04N5/225
CPC classification number: C23C8/28 , C23C14/022 , C23C14/0605 , Y10T428/1086
Abstract: 本发明可以提供耐光性优良，而且能够产生偏转预倾角的取向膜，提供具备这样的取向膜的电子器件用基板、液晶面板和电子仪器，另外，提供这样的取向膜的形成方法。本发明的取向膜的形成方法，是在基体材料上形成取向膜，其特征在于，蒸发碳，同时在基体材料的形成取向膜的面上，只从相对于与该面垂直的方向倾斜所定的角度θa的方向照射含有氮离子的离子束。上述所定的角度θa是45～89°。含有氮离子的离子束的加速电压是100～500V。含有氮离子的离子束的电流是10～500mA。
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公开(公告)号：CN1591134A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074939.9
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13 , G03B21/00 , G02B27/18
CPC classification number: C23C14/10 , B32B17/06 , C23C14/226 , C23C14/35 , G02F1/133734 , Y10T428/1005 , Y10T428/1045
Abstract: 本发明提供一种耐光性优异、并且能够使之发生预倾斜角的无机取向膜，配备有这种无机取向膜的电子器件用基板、液晶面板及电子设备，以及形成这种无机取向膜的形成方法。本发明的无机取向膜的形成方法，利用磁控溅射法在基材上形成无机取向膜，其中，令前述基材附近的气氛的压力，在5.0×10－2Pa以下，使等离子体碰撞与前述基材对向设置的靶，引出溅射粒子，将前述溅射粒子从相对于前述基材的形成前述无机取向膜的面的垂直方向倾斜规定的角度θs的方向，照射到前述基材上，在前述基材上，形成主要由无机材料构成的无机取向膜。规定的角度度θs，在60°以上。基材与靶的距离，在150mm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1609683A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410075162.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/133 , G03B21/00
CPC classification number: G02F1/13378 , G02F1/133734 , Y10T428/1009
Abstract: 一种无机取向膜的形成方法、无机取向膜、电子设备用基板、液晶面板和电子仪器，所述无机取向膜的形成方法，是在基材上形成主要由无机材料构成的无机取向膜的方法，其特征在于，包括：研磨工序，对基材的形成无机取向膜的面，从相对该面的垂直方向仅倾斜了预定的角度θb的方向照射离子束；成膜工序，在照射了离子束的基材上形成无机取向膜。研磨工序中预定角度θb是2度以上。研磨工序中照射离子束时的离子束的加速电压是400～1400V。根据本发明提供耐光性好、且可产生预倾角的无机取向膜。
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公开(公告)号：CN1595263A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410068347.6
申请日：2004-08-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13 , G03B21/00 , G02B27/18
CPC classification number: C23C14/10 , C23C14/5833 , G02F1/133734 , G02F1/13378 , G02F2001/133792 , G02F2202/09 , Y10T428/1009
Abstract: 提供一种耐光性优良而且能够使之产生预倾角的无机取向膜，具备这种无机取向膜的电子器件用基板，液晶面板和电子仪器。而且提供一种该无机取向膜的形成方法。本发明的无机取向膜的形成方法，是在基体材料上形成无机取向膜的方法，其特征在于，其中具有在基体材料上形成主要由无机材料构成膜的成膜工序，和从相对于所述膜的表面垂直方向仅以所定角度θb倾斜的方向，对所述膜表面照射离子束的研磨工序。在研磨工序中对所述膜照射所述离子束，使所述膜上形成具有所定方向性的凹部。在研磨工序中所定的角度θb为2°以上。
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公开(公告)号：CN1324371C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410075178.9
申请日：2004-09-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/13378 , G02F1/133723 , G02F2001/133776 , G02F2001/133792 , Y10T428/1009
Abstract: 一种无机取向膜、具有这种无机取向膜的电子设备用基板、液晶面板和电子仪器、以及这种无机取向膜的形成方法，本发明的无机取向膜的形成方法，是在基材上形成无机取向膜的方法，其特征在于，包括：第一研磨工序，对基材的形成了无机取向膜的面，从相对该面的垂直方向仅倾斜了预定的角度θa的方向照射离子束；成膜工序，在照射了离子束的基材上形成主要由无机材料构成的膜；第二研磨工序，从相对该表面的垂直方向仅倾斜了预定的角度θb的方向向所述膜的表面照射离子束。根据本发明提供耐光性好、且可产生预倾角的无机取向膜。
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公开(公告)号：CN1324370C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410075162.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/13378 , G02F1/133734 , Y10T428/1009
Abstract: 一种无机取向膜的形成方法、无机取向膜、电子设备用基板、液晶面板和电子仪器，所述无机取向膜的形成方法，是在基材上形成主要由无机材料构成的无机取向膜的方法，其特征在于，包括：研磨工序，对基材的形成无机取向膜的面，从相对该面的垂直方向仅倾斜了预定的角度θb的方向照射离子束；成膜工序，在照射了离子束的基材上形成无机取向膜。研磨工序中预定角度θb是2度以上。研磨工序中照射离子束时的离子束的加速电压是400～1400V。根据本发明提供耐光性好、且可产生预倾角的无机取向膜。
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公开(公告)号：CN1308755C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410074949.2
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: C23C8/28 , C23C14/022 , C23C14/0605 , Y10T428/1086
Abstract: 本发明可以提供耐光性优良，而且能够产生偏转预倾角的取向膜，提供具备这样的取向膜的电子器件用基板、液晶面板和电子仪器，另外，提供这样的取向膜的形成方法。本发明的取向膜的形成方法，是在基体材料上形成取向膜，其特征在于，蒸发碳，同时在基体材料的形成取向膜的面上，只从相对于与该面垂直的方向倾斜所定的角度θa的方向照射含有氮离子的离子束。上述所定的角度θa是45～89°。含有氮离子的离子束的加速电压是100～500V。含有氮离子的离子束的电流是10～500mA。
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