-
公开(公告)号：CN101136496A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710148347.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 精工爱普生株式会社 , 株式会社国际基盘材料研究所
CPC classification number: H01M4/139 , B32B37/10 , B32B2457/10 , H01M4/0404 , H01M4/0414 , H01M4/13 , H01M4/70 , H01M4/78 , H01M10/0427 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2010/0495 , H01M2220/30 , H01M2300/0071 , H01M2300/0091 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电－放电循环后降低并且可以具有高性能。所述二次电池包含第一电极层；第二电极层；和安置在第一和第二电极层之间的电解质层，所述电解质层包含电解质颗粒，其中第一和第二电极层中的至少一个包含具有其上形成多个凹部的主表面的基底构件和至少填充在所述凹部中的电极材料，所述主表面面向所述电解质层。
-
公开(公告)号：CN1527428A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007008.7
申请日：2004-02-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M8/0247 , H01M8/04089 , H01M8/1004 , H01M2250/20 , Y02E60/521 , Y02P70/56 , Y02T90/32 , Y10T29/53135
Abstract: 一种能提高生产效率的燃料电池制造装置以及采用该燃料电池制造装置的燃料电池的制造方法，在由驱动装置(58)根据来自控制装置(56)的信号驱动的传送带(BC1)所传送的第1基板上，在喷吐装置(20a、20b)中形成用于供给第1反应气体的第1气体流路，在由传送带传送的第1基板上，在喷吐装置(20d)中形成第1集电层，在喷吐装置(20f)中形成第1反应层，在喷吐装置(20g)中形成电解质膜。同样，在喷吐装置(20h)中形成第2反应层，在喷吐装置(20j)中形成第2集电层。然后在组装装置(60)中将喷吐装置(20l、20m)中形成了第2气体流路的第2基板配置在第1基板上的给定位置上完成燃料电池的制造。
-
公开(公告)号：CN1331263C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410007008.7
申请日：2004-02-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M8/0247 , H01M8/04089 , H01M8/1004 , H01M2250/20 , Y02E60/521 , Y02P70/56 , Y02T90/32 , Y10T29/53135
Abstract: 一种能提高生产效率的燃料电池制造装置以及采用该燃料电池制造装置的燃料电池的制造方法，在由驱动装置(58)根据来自控制装置(56)的信号驱动的传送带(BC1)所传送的第1基板上，在喷吐装置(20a、20b)中形成用于供给第1反应气体的第1气体流路，在由传送带传送的第1基板上，在喷吐装置(20d)中形成第1集电层，在喷吐装置(20f)中形成第1反应层，在喷吐装置(20g)中形成电解质膜。同样，在喷吐装置(20h)中形成第2反应层，在喷吐装置(20j)中形成第2集电层。然后在组装装置(60)中将喷吐装置(20l、20m)中形成了第2气体流路的第2基板配置在第1基板上的给定位置上完成燃料电池的制造。
-
公开(公告)号：CN100463178C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610093224.7
申请日：2006-06-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安食嘉晴
Abstract: 设置蓄积对应于直流电源(VDD)的电压的电荷的急充电容器(C1～C6)、将急充电容器(C1～C6)与直流电源(VDD)并联连接的开关(SW0～SW5、SW11～SW16)、将并联连接的急充电容器(C1～C6)以及直流电源(VDD)串联连接的开关(SW2～SW6、SW17)，急充电容器(C1～C6)通过具有SOI结构的MOS电容器构成。从而本发明可抑制元件面积的增加，并且减少急充电容器的寄生电容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1523696A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410003948.9
申请日：2004-02-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01M8/0228 , H01M8/0247 , H01M8/0258 , H01M8/0265 , H01M8/241 , Y02P70/56
Abstract: 一种燃料电池和燃料电池的制造方法，在喷出装置(120a)、(120b)中，在第一基板上形成第一气体流道。接着，在第一基板上，在喷出装置(120c)中形成第一集电层，在喷出装置(120d)中形成第一气体扩散层。接着，在第一基板上，在喷出装置(120e)中形成第一反应层，在喷出装置(120f)中形成电解质膜。在喷出装置(120g)中形成第二反应层，在喷出装置(120h)中形成气体扩散层，在喷出装置(120i)中形成第二集电层。然后，将在喷出装置(120j)、(120k)中形成了第二气体流道的第二基板配置在第一基板上的给定位置，完成燃料电池的制造。根据本发明，能够确保反应气体流动的空间。
-
公开(公告)号：CN100517710C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610110852.1
申请日：2006-08-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安食嘉晴
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823412 , H01L27/0207 , H01L27/12 , H01L27/283 , H01L29/4238
Abstract: 本发明提供即使基板弯曲(变形)，但晶体管的特性变化少的半导体装置、电光学装置、电子仪器。本发明的半导体装置，包括：半导体层、使用所述半导体层而形成的第1和第2晶体管，对所述半导体层的弯曲，使所述第1和第2晶体管的各电导互补性地变化。即使是基板弯曲，也能够抑制因该弯曲引起的半导体装置的特性变化。
-
公开(公告)号：CN1323452C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410003948.9
申请日：2004-02-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01M8/0228 , H01M8/0247 , H01M8/0258 , H01M8/0265 , H01M8/241 , Y02P70/56
Abstract: 一种燃料电池和燃料电池的制造方法，在喷出装置(120a)、(120b)中，在第一基板上形成第一气体流道。接着，在第一基板上，在喷出装置(120c)中形成第一集电层，在喷出装置(120d)中形成第一气体扩散层。接着，在第一基板上，在喷出装置(120e)中形成第一反应层，在喷出装置(120f)中形成电解质膜。在喷出装置(120g)中形成第二反应层，在喷出装置(120h)中形成气体扩散层，在喷出装置(120i)中形成第二集电层。然后，将在喷出装置(120j)、(120k)中形成了第二气体流道的第二基板配置在第一基板上的给定位置，完成燃料电池的制造。根据本发明，能够确保反应气体流动的空间。
-
公开(公告)号：CN1917205A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610110852.1
申请日：2006-08-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安食嘉晴
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823412 , H01L27/0207 , H01L27/12 , H01L27/283 , H01L29/4238
Abstract: 本发明提供即使基板弯曲(变形)，但晶体管的特性变化少的半导体装置、电光学装置、电子仪器。本发明的半导体装置，包括：半导体层、使用所述半导体层而形成的第1和第2晶体管，对所述半导体层的弯曲，使所述第1和第2晶体管的各电导互补性地变化。即使是基板弯曲，也能够抑制因该弯曲引起的半导体装置的特性变化。
-
公开(公告)号：CN1905189A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610093224.7
申请日：2006-06-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安食嘉晴
Abstract: 设置蓄积对应于直流电源(VDD)的电压的电荷的急充电容器(C1～C6)、将急充电容器(C1～C6)与直流电源(VDD)并联连接的开关(SW0～SW5、SW11～SW16)、将并联连接的急充电容器(C1～C6)以及直流电源(VDD)串联连接的开关(SW2～SW6、SW17)，急充电容器(C1～C6)通过具有SOI结构的MOS电容器构成。从而本发明可抑制元件面积的增加，并且减少急充电容器的寄生电容。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.023 seconds)
