公开(公告)号：CN1539162A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02815444.4

申请日：2002-08-06

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李在锡 ,  都元重 ,  卢炫秀 ,  李吉成 ,  李钟元 ,  尹普彦 ,  河商录 ,  朴俊相 ,  洪昌基

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种在制造半导体设备中用于金属布线CMP(化学机械抛光)工艺的组合物，包括过氧化氢、无机酸、丙二胺四乙酸(PDTA)－金属络合物、羧酸、金属氧化物粉末和去离子水，其中PDTA－金属络合物通过防止研磨后的钨氧化物再粘附到抛光后的表面上，在全面改进抛光性能和抛光性能的可重复性方面以及在改进浆液组合物的分散稳定性方面起主要的作用。

公开(公告)号：CN1243370C

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN02815444.4

申请日：2002-08-06

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李在锡 ,  都元重 ,  卢炫秀 ,  李吉成 ,  李钟元 ,  尹普彦 ,  河商录 ,  朴俊相 ,  洪昌基

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种在制造半导体设备中用于金属布线CMP(化学机械抛光)工艺的组合物，包括过氧化氢、无机酸、丙二胺四乙酸(PDTA)-金属络合物、羧酸、金属氧化物粉末和去离子水，其中PDTA-金属络合物通过防止研磨后的钨氧化物再粘附到抛光后的表面上，在全面改进抛光性能和抛光性能的可重复性方面以及在改进浆液组合物的分散稳定性方面起主要的作用。

公开(公告)号：CN103184011B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210593238.0

申请日：2012-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢炫秀 ,  金东珍 ,  朴容淳 ,  金容国 ,  郑荣哲

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种CMP浆料组合物和使用其的抛光方法。所述CMP浆料组合物包含金属氧化物颗粒、二异氰酸酯化合物和去离子水。所述CMP浆料组合物能够选择性地控制具有凸出部分和凹进部分的晶片表面的抛光速度，使得快速进行一次抛光和二次抛光，同时在二次抛光时停止氮化物层的抛光。

公开(公告)号：CN103184011A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210593238.0

申请日：2012-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢炫秀 ,  金东珍 ,  朴容淳 ,  金容国 ,  郑荣哲

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种CMP浆料组合物和使用其的抛光方法。所述CMP浆料组合物包含金属氧化物颗粒、二异氰酸酯化合物和去离子水。所述CMP浆料组合物能够选择性地控制具有凸出部分和凹进部分的晶片表面的抛光速度，使得快速进行一次抛光和二次抛光，同时在二次抛光时停止氮化物层的抛光。