用于形成纹理的蚀刻液
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104094411A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201380008345.5

    申请日:2013-02-06

    CPC classification number: C09K13/02 C09K13/04 H01L31/02363 Y02E10/50

    Abstract: 在本发明中,通过使用蚀刻液能够在晶片表面上均匀地形成稳定的良好纹理,该蚀刻液包含一水溶液,该水溶液含有(A)碱性组分和(B)膦酸衍生物或其盐。本发明提供一种用于在硅晶片上形成纹理的蚀刻液,该蚀刻液适用于利用松散磨粒系统的晶片切割的晶片和利用固定磨粒系统切割的晶片,并且在60℃至95℃的加工温度范围内添加剂组分不蒸发。

    纹理形成用蚀刻液及使用其的纹理形成方法

    公开(公告)号:CN104584232B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201380042594.6

    申请日:2013-07-29

    CPC classification number: H01L31/02363 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供硅基板的纹理形成用蚀刻液及蚀刻方法,所述蚀刻液可以稳定地在基板表面均匀地形成良好的纹理,在通常的使用温度即60℃~95℃的区域中添加剂成分也不会挥发,适用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。使用一种蚀刻液,其含有:(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。

    纹理形成用蚀刻液及使用其的纹理形成方法

    公开(公告)号:CN104584232A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201380042594.6

    申请日:2013-07-29

    CPC classification number: H01L31/02363 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供硅基板的纹理形成用蚀刻液及蚀刻方法,所述蚀刻液可以稳定地在基板表面均匀地形成良好的纹理,在通常的使用温度即60℃~95℃的区域中添加剂成分也不会挥发,适用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。使用一种蚀刻液,其含有:(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。

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