公开(公告)号：CN118420506A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410543544.6

申请日：2024-04-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 葛新 ,  裘之柯 ,  陈佳颖 ,  侯琳熙

IPC: C07D207/267 ,  C07C51/41 ,  C07C55/22 ,  C09K23/32 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明公开了一种低聚吡咯烷酮头基表面活性剂及其制备方法和在集成电路铜蚀刻液中的应用，属于表面活性剂和蚀刻液技术领域。利用酸性溶液中吡咯烷酮头基上的N完全质子化的特性，将N‑丁基‑2‑吡咯烷酮与丙三酸反应，制备低表面张力的低聚吡咯烷酮头基表面活性剂，反应过程操作简单，反应条件温和且副产物含量少。进一步复配得到低表面张力高稳定性铜蚀刻液，具有表面张力低、润湿能力强、刻蚀速率均匀、底切控制优良、蚀刻效果好的特点，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN118388386A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410543548.4

申请日：2024-04-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 葛新 ,  陈佳颖 ,  裘之柯 ,  侯琳熙

IPC: C07D207/267 ,  C07C51/41 ,  C07C55/08 ,  C07C55/14 ,  C09K23/32 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明公开了一种Gemini型吡咯烷酮表面活性剂及其制备方法和在制备四甲基氢氧化铵硅蚀刻液中的应用，属于表面活性剂和蚀刻液技术领域。Gemini型吡咯烷酮表面活性剂与传统的单体表面活性剂相比，有着反应产率较高和临界胶束浓度较低等特点，将其与四甲基氢氧化铵水溶液复配得到硅蚀刻液，具有表面张力低、润湿能力强、杂质金属离子含量少、有效控制氢气气泡、改善硅片表面粗糙度、蚀刻效果优异的特点，应用前景广阔。