公开(公告)号：CN112730533A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202110049653.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 戴文新 ,  王笑笑 ,  陈旬 ,  张子重 ,  付贤智

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种Ni修饰的Nb2O5气敏元件及其制备方法与应用，其是将洗净的FTO叉指电极片于含Ni(NO3)2·6H2O和铌酸铵草酸盐水合物的混合溶液中进行水热反应后，将表面长有粉末状NiO/Nb2O5的FTO叉指电极片取出，经去离子水冲洗、烘干、高温煅烧及还原，制得原位水热生成的NixO/Nb2O5气敏元件。本发明所得NixO/Nb2O5气敏元件在室温及紫外光条件下对CO2和H2均显示出了较佳的响应性能，并具有良好的稳定性和重复性，其简化了气敏元件的制备工艺，在半导体光助气敏传感器制备方面具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN112730533B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110049653.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 戴文新 ,  王笑笑 ,  陈旬 ,  张子重 ,  付贤智

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种Ni修饰的Nb2O5气敏元件及其制备方法与应用，其是将洗净的FTO叉指电极片于含Ni(NO3)2·6H2O和铌酸铵草酸盐水合物的混合溶液中进行水热反应后，将表面长有粉末状NiO/Nb2O5的FTO叉指电极片取出，经去离子水冲洗、烘干、高温煅烧及还原，制得原位水热生成的NixO/Nb2O5气敏元件。本发明所得NixO/Nb2O5气敏元件在室温及紫外光条件下对CO2和H2均显示出了较佳的响应性能，并具有良好的稳定性和重复性，其简化了气敏元件的制备工艺，在半导体光助气敏传感器制备方面具有较好的应用前景。