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公开(公告)号：CN102262989A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110174169.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阳极氧化铝模板制作方法及利用该氧化铝模板制作场发射阴极阵列材料方法，通过采取一系列表面保护措施，制得形貌规则、表面洁净的阳极氧化铝模板再利用水热等方法向氧化铝模板纳米孔洞中灌注有机物质、金属有机溶液或溶胶，再经过凝胶化、高温碳化、去氧化铝模板等工艺得到场发射垂直纳米线或纳米管阵列阴极材料。由这种方法制得的场发射阴极材料形貌规则、场发射性能测试中开启电压较小，且种方法工艺较简单、易于实现大面积场发射材料的制作。
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公开(公告)号：CN102262989B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110174169.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阳极氧化铝模板的制作方法及利用氧化铝模板制作场发射阴极阵列材料的方法，通过采取一系列表面保护措施，制得形貌规则、表面洁净的阳极氧化铝模板再利用水热等方法向氧化铝模板纳米孔洞中灌注有机物质、金属有机溶液或溶胶，再经过凝胶化、高温碳化、去氧化铝模板等工艺得到场发射垂直纳米线或纳米管阵列阴极材料。由这种方法制得的场发射阴极材料形貌规则、场发射性能测试中开启电压较小，且种方法工艺较简单、易于实现大面积场发射材料的制作。
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公开(公告)号：CN102263244B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110177982.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/1395 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102621198B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210057850.6
申请日：2012-03-07
Applicant: 福州大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种多元金属氧化物气敏传感器气敏元件及其制备方法。本发明主要是采用电纺丝静电场组装方法在梳齿电极上沉积纳米丝状壳核结构材料，采用低温水热负载方式在梳齿电极上的壳核结构外层包覆气敏薄膜源材料，再进行热处理合成气敏材料。本发明制得的元件上有定向排列近单层金属氧化物复合纳米丝/纳米管气敏材料，可直接装配成气敏传感器，使用方便且具有良好的气敏灵敏度和选择性。制备方法简单，具备显著的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN102263244A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110177982.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/1395 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN102621198A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210057850.6
申请日：2012-03-07
Applicant: 福州大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种多元金属氧化物气敏传感器气敏元件及其制备方法。本发明主要是采用电纺丝静电场组装方法在梳齿电极上沉积纳米丝状壳核结构材料，采用低温水热负载方式在梳齿电极上的壳核结构外层包覆气敏薄膜源材料，再进行热处理合成气敏材料。本发明制得的元件上有定向排列近单层金属氧化物复合纳米丝/纳米管气敏材料，可直接装配成气敏传感器，使用方便且具有良好的气敏灵敏度和选择性。制备方法简单，具备显著的经济和社会效益。
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