公开(公告)号：CN103943689A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410187911.X

申请日：2014-05-06

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  汤晨光 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: H01L31/00

Abstract: 本发明涉及一种调控半导体量子阱材料平面光学各向异性的方法。该方法通过改变插入在半导体量子阱上界面的超薄InAs层的厚度，有效调控半导体量子阱的平面光学各向异性。该方法简单易行，成本低廉，且调控效果明显，调控范围较大。

公开(公告)号：CN103943689B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410187911.X

申请日：2014-05-06

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  汤晨光 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: H01L31/00

Abstract: 本发明涉及一种调控半导体量子阱材料平面光学各向异性的方法。该方法通过改变插入在半导体量子阱上界面的超薄InAs层的厚度，有效调控半导体量子阱的平面光学各向异性。该方法简单易行，成本低廉，且调控效果明显，调控范围较大。