公开(公告)号：CN116254521B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310024425.5

申请日：2023-01-09

Applicant: 福州大学

Inventor： 李调阳 ,  王博 ,  林本慧 ,  梅佳旺

IPC: C23C16/455 ,  G01N27/414 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明提出一种基于多孔AAO制备垂直环绕沟道FET生物传感器的方法，能以多孔阳极氧化铝AAO模板来制备传感器，方法基于多孔AAO模板提供的长程有序、周期性的高深宽比、单通纳米孔，将刻蚀形成的双通AAO模板转移到表面有导电层的目标衬底上，利用原子层沉积技术制备垂直环绕沟道场效应晶体管CAA‑FET，所述CAA‑FET包括由外到内依次设有氧化物半导体沟道、高k介质层、导电层的纳米柱。利用纳米柱阵列的物理阻挡效应，原位“过滤”全血、尿液、汗液、唾液等复杂体液中的细胞、细菌、病毒等非特异性大尺寸物质，而尺寸小于纳米柱缝隙的小分子可以进入纳米柱侧壁及底部与生物探针结合，提升检测特异性，并实现纯化生物样本和检测目标生物分子于一体的集成式生物传感器。

公开(公告)号：CN116254521A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310024425.5

申请日：2023-01-09

Applicant: 福州大学

Inventor： 李调阳 ,  王博 ,  林本慧 ,  梅佳旺

IPC: C23C16/455 ,  G01N27/414 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明提出一种基于多孔AAO制备垂直环绕沟道FET生物传感器的方法，能以多孔阳极氧化铝AAO模板来制备传感器，方法基于多孔AAO模板提供的长程有序、周期性的高深宽比、单通纳米孔，将刻蚀形成的双通AAO模板转移到表面有导电层的目标衬底上，利用原子层沉积技术制备垂直环绕沟道场效应晶体管CAA‑FET，所述CAA‑FET包括由外到内依次设有氧化物半导体沟道、高k介质层、导电层的纳米柱。利用纳米柱阵列的物理阻挡效应，原位“过滤”全血、尿液、汗液、唾液等复杂体液中的细胞、细菌、病毒等非特异性大尺寸物质，而尺寸小于纳米柱缝隙的小分子可以进入纳米柱侧壁及底部与生物探针结合，提升检测特异性，并实现纯化生物样本和检测目标生物分子于一体的集成式生物传感器。

公开(公告)号：CN115602544A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211270629.9

申请日：2022-10-18

Applicant: 福州大学(CN)

Inventor： 李调阳 ,  庄毅 ,  梅佳旺 ,  王博

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种制备长程有序高深宽比结构及垂直型场效应晶体管的方法。该方法主要步骤有：利用丙酮、异丙醇、去离子水对长程有序多孔氧化铝模板进行清洗，利用原子层沉积技术可三维共形沉积的特点来沉积绝缘氧化物薄膜，通过设置循环数精确控制薄膜厚度，从而获得大于200:1的长程有序超高深宽比结构，此方法无需用到刻蚀技术，工艺简单，成本低。同时，基于原子层沉积技术在超高深宽比结构上沉积氧化物半导体薄膜将孔隙填充，通过刻蚀除去表面沉积的氧化物半导体薄膜，再使用物理气相沉积系统沉积一层金属层，之后采用半导体器件工艺，最终可用于制备垂直型场效应晶体管。