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公开(公告)号：CN111669179A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010702646.X
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明涉及一种用于SAR ADC电容阵列的新型单向开关切换电路及其控制方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一电容阵列的电容顶板DACP、第二电容阵列的电容顶板DACN分别与比较器的同相输入端、反相输入端连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与地电平Vss连接，第一电容阵列中电容的底板、第二电容阵列中电容的底板分别经第一切换开关组、第二开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者输入电平Vin连接。本发明相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度，且本发明开关切换方法实现了一个极低的开关切换功耗，在低功耗传感器产品中有巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111669180B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010702642.1
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构及其开关切换方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接，第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、第二切换开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者Vin连接；比较器包括依次连接的动态预放大器、动态锁存器，动态预放大器的两输入端分别作为比较器的同相、反相输入端，动态锁存器输出端作为比较器的输出端。本发明相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容，且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度。
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公开(公告)号：CN111669179B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010702646.X
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明涉及一种用于SAR ADC电容阵列的新型单向开关切换电路及其控制方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一电容阵列的电容顶板DACP、第二电容阵列的电容顶板DACN分别与比较器的同相输入端、反相输入端连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与地电平Vss连接，第一电容阵列中电容的底板、第二电容阵列中电容的底板分别经第一切换开关组、第二开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者输入电平Vin连接。本发明相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度，且本发明开关切换方法实现了一个极低的开关切换功耗，在低功耗传感器产品中有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111669180A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010702642.1
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构及其开关切换方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接，第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、第二切换开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者Vin连接；比较器包括依次连接的动态预放大器、动态锁存器，动态预放大器的两输入端分别作为比较器的同相、反相输入端，动态锁存器输出端作为比较器的输出端。本发明相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容，且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度。
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公开(公告)号：CN212435677U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021438634.2
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本实用新型涉及一种用于SAR ADC电容阵列的新型单向开关切换电路。包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一电容阵列中全部电容的顶板相连接作为DACP，第二电容阵列中全部电容的顶板相连接作为DACN，DACP和DACN分别与比较器的同相输入端、反相输入端连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与地电平Vss连接，第一电容阵列中电容的底板、第二电容阵列中电容的底板分别经第一切换开关组、第二开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者输入电平Vin连接。本实用新型相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度，且本实用新型在超低功耗传感器产品中有巨大的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212435679U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021438625.3
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本实用新型涉及一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构。包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接，第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、第二切换开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者Vin连接；比较器包括依次连接的动态预放大器、动态锁存器，动态预放大器的两输入端分别作为比较器的同相输入端和反相输入端，动态锁存器的两输出端分别作为比较器的两输出端。本实用新型相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容，且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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