一种电阻式触摸屏的3D制造方法

    公开(公告)号:CN104461211B

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201410237620.7

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: Y02P10/295

    Abstract: 本发明涉及一种电阻式触摸屏的3D制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:提供一上基板;步骤2:提供一下基板;步骤3:提供一绝缘隔离层;步骤4:提供一封框体;步骤5:所述上基板与所述下基板对准贴合;步骤6:提供一导电柱;步骤7:将带有触控IC芯片的FPC通过热压与所述第一电极和所述第二电极的连接引脚进行电学连接,形成最终的电阻式触摸屏。本发明采用3D制造的方法来进行电阻式触摸屏的制造,工艺较传统方法大大简化,省去传统工艺曝光、显影、刻蚀等多道复杂工艺,节约生产原料和制造成本。

    一种TiO2纳米管三极型场发射电子源及其制备方法

    公开(公告)号:CN103972007B

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201410215325.1

    申请日:2014-05-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种TiO2纳米管三极型场发射电子源及其制备方法。所述TiO2纳米管三极型场发射电子源以垂直基底生长于阴极或栅极特定位置的TiO2纳米管为场发射阴极材料,其制备方法包括以下步骤:首先采用微接触印刷在平面基板的特定位置上均匀印刷ZnO籽晶层;然后采用水热法在印刷有ZnO籽晶层的位置上生长ZnO纳米棒;接下来以ZnO纳米棒为模板在其外围生长一层TiO2薄膜;最后将ZnO纳米棒顶端的TiO2薄膜刻蚀,并通过湿法刻蚀溶解掉ZnO纳米棒,在平面基板的电极形成TiO2纳米管。该方法制备的三极型场发射电子源器件,TiO2纳米管长径比高、且密度可控,性能良好。

    一种微透镜阵列的制作方法

    公开(公告)号:CN103955014A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410215140.0

    申请日:2014-05-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种微透镜阵列的制作方法,包括:(1)设计生成所需微透镜阵列模型,并根据所需微透镜阵列的参数设置相应激光功率、激光束斑大小、激光停留时间;(2)提供一洁净基板并采用激光打点的方法在基板上制作微凹形阵列;(3)将硅橡胶预聚物均匀涂覆在微凹形阵列表面,固化分离后制备硅橡胶微透镜阵列;(4)将硅橡胶微透镜阵列转移到其他材料上,制备不同材料微透镜阵列;(5)对微透镜阵列进行后续抛光处理。利用该方法可制备高精度、大面积微透镜阵列,且制作成本低。

    一种电容触摸屏搭桥结构的制备方法

    公开(公告)号:CN104461188B

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201410237617.5

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种电容触摸屏搭桥结构的制作方法,按如下步骤进行:(1)制备第一方向和第二方向的透明导电电极线;(2)设计生成电容触摸屏搭桥结构绝缘层和导电桥的三维数字模型;(3)对三维数字模型进行近似处理,消除不规则的自由曲面,并将三维模型转化为STL格式;(4)对绝缘层和导电桥三维数字模型进行分层切片;(5)采用3D打印,对绝缘层进行叠层制造成型;(6)采用3D打印在每个绝缘层上对导电桥进行叠层制造成型,形成所需电容触摸屏搭桥结构。本发明采用3D打印进行电容触摸屏搭桥结构制造,有效解决了传统工艺曝光、显影、刻蚀等多道复杂工艺容易造成良率下降的问题,且制作灵活性较大。

    一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法

    公开(公告)号:CN104411103A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410237615.6

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H05K3/062 H05K2203/0514

    Abstract: 本发明涉及一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法,包含以下步骤:1、选取一平板基底,并对平板基底进行清洗;2、在平板基底表面沉积一层过渡层;3、在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料,并高温焙烧形成厚膜银浆导电层;4、在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层;5、光刻胶涂覆、曝光、显影和固膜,在保护层表面形成图形化光刻胶;6、刻蚀无光刻胶覆盖的保护层;7、刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层,得到图形化厚膜银浆导电层;8、去除光刻胶,然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层;9、对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理,形成最终的图形化厚膜银浆导电层。该方法不仅可以提高图形化厚膜银浆导电层的精细度,还能避免因高温加热而导致图形化导电层收缩。

    共面转换蓝相液晶显示器件电极的3D制造方法

    公开(公告)号:CN104408214A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410237623.0

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种共面转换蓝相液晶显示器件电极的3D制造方法,所述电极可以深入到蓝相液晶中,降低驱动电压。采用叠层制造的方式,按如下步骤进行:(1)设计生成三维数字模型;(2)对三维数字模型进行近似处理,消除不规则的自由曲面,并将转化为三维打印机能接受和操作的STL格式;(3)进行分层切片,转化为一系列二维截面图形;(4)制备电极打印浆料;(5)利用3D打印设备对电极进行打印,采用固化或硬化的方式对材料进行3D成型;(6)将打印成型的电极进行后续处理,形成所需共面转换蓝相液晶显示器件的电极。本发明有效解决了共面转换蓝相液晶显示器件电极制造工艺复杂,成本高的缺点,且制作灵活性较大。

    一种3D制造网格状导电阵列的方法

    公开(公告)号:CN104409172B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410237626.4

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: Y02P80/30

    Abstract: 本发明公开了一种网格状透明导电电极的制作方法,包括以下几个步骤:S1:利用计算机设计网格状导电阵列结构的三维数字模型;S2:利用软件沿模型的高度方向分割形成各截面的二维轮廓图;S3:根据二维轮廓图形成相应的扫描路径;S4:利用3D打印设备按照扫描路径打印第一导电层;S5:利用3D打印设备在已经成形所述第一导电层上按照扫描路径打印所述第二导电层;S6:重复步骤(S4)或(S5)或交替重复步骤S4)和(S5),形成所述网格状导电阵列,S7:清理所述基板表面的导电材质。本发明采用3D制造网格状导电阵列,既解决了材料浪费,工序复杂,精确度低的问题,又克服了导电阵列结构单一的问题。

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