一种调控和平衡全无机QLED的载流子输运的方法

    公开(公告)号:CN108258155A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810041432.5

    申请日:2018-01-16

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01L51/56 C23C16/45525 H01L51/502

    Abstract: 本发明涉及ALD生长绝缘介质材料用以调控和平衡全无机QLED的载流子输运的方法,主要包括:在全无机QLED空穴传输层或电子传输层与量子点(QD)层之间,利用ALD方法生长一薄层绝缘介质材料,用以修饰界面态从而降低缺陷态对载流子的捕获、调控载流子传输使电子和空穴平衡注入,从而获得高稳定性、高发光效率的全无机QLED器件。该方法充分利用ALD逐层精确生长、膜层均匀致密、沉积温度低的优点,实现对载流子传输层厚度的精确调控,对制备高稳定、高效率全无机QLED器件具有重要意义。

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