公开(公告)号：CN105509882B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510882104.4

申请日：2015-12-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 王向峰 ,  吴经纶 ,  陈硕 ,  钟舜聪

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明涉及一种基于砷化镓单量子阱的太赫兹探测器的实现方法，其中所述砷化镓探测器包括GaAs单量子阱样品，所述GaAs单量子阱样品上表面覆盖有曲折形霍尔条，所述霍尔条的左端上部、左端下部分别设置有金属电极1、金属电极3，所述霍尔条的右端上部、右端下部分别设置有金属电极2、金属电极4。本发明将入射太赫兹信号转换为电压信号，属于直接探测技术范畴。而且这种探测器具有频率分辨能力和灵敏度高的特点。

公开(公告)号：CN105509882A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510882104.4

申请日：2015-12-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 王向峰 ,  吴经纶 ,  陈硕 ,  钟舜聪

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明涉及一种基于砷化镓单量子阱的太赫兹探测器的实现方法，其中所述砷化镓探测器包括GaAs单量子阱样品，所述GaAs单量子阱样品上表面覆盖有曲折形霍尔条，所述霍尔条的左端上部、左端下部分别设置有金属电极1、金属电极3，所述霍尔条的右端上部、右端下部分别设置有金属电极2、金属电极4。本发明将入射太赫兹信号转换为电压信号，属于直接探测技术范畴。而且这种探测器具有频率分辨能力和灵敏度高的特点。