利用微转移印刷的管芯到晶片接合

    公开(公告)号:CN113871328A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202010994709.3

    申请日:2020-09-21

    Abstract: 本公开的实施例涉及利用微转移印刷的管芯到晶片接合。本文中描述的是一种利用微转移印刷将管芯从源晶片转移到中间处理晶片上的管芯到晶片接合工艺。然后,可以将所得到的中间处理晶片结构管芯向下接合到目标晶片上,然后仅去除中间处理晶片,留下被适当地接合到目标晶片的管芯。

    集成带隙温度传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113865732A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202010993932.6

    申请日:2020-09-21

    Abstract: 本申请的各实施例涉及集成带隙温度传感器。集成光子器件的绝对温度测量可以利用邻近光子器件的集成带隙温度传感器而被完成。在各种实施例中,光子器件的二极管结构内的有源区的温度利用集成带隙温度传感器而被测量,该集成带隙温度传感器包括一个或多个二极管结,该一个或多个二极管结在半导体器件层中在有源区下方或者横向邻近光子器件,或者在被形成在半导体器件层上方的二极管结构中并且邻近光子器件的二极管结构。

    光子电路制造中的损耗监测

    公开(公告)号:CN114114539A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202011294845.8

    申请日:2020-11-18

    Abstract: 本公开的实施例涉及光子电路制造中的损耗监测。光学制造监测器结构可以被包括在由掩模或制造光罩在晶片上进行制造的设计中。第一组件集合可以在初始制造周期中被形成,其中第一组件集合包括功能性组件和监测器结构。第二组件集合可以通过后续制造过程形成,后续制造过程可能潜在地导致第一组件集合的错误或损坏。监测器结构可以在制造期间(例如,在洁净室中)被实现,以在不会拉出或报废晶片的情况下,检测制造错误。

    片上光子集成电路光学验证

    公开(公告)号:CN114337828A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011532333.0

    申请日:2020-12-22

    Inventor: B·M·柯廷

    Abstract: 用于检测光子集成电路(PIC)中的错误的方法和系统。光子集成电路中的光子错误可以使用被集成在电路的光子层中的片上光源而被成像。片上光源可以产生多个波长的光,该光通过一个或多个衬底层传播到对该波长范围敏感的图像传感器。片上光源可以是可调谐的并且提供不同的功率设置,这些功率设置可以被利用以检测光子集成电路中的不同类型的光学错误。

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