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公开(公告)号：CN102395901A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016540.9
申请日：2010-03-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/164
CPC classification number: G01T1/1647 , G01T1/2985
Abstract: 一种成像系统包括闪烁体阵列(202)和数字光电倍增器阵列(204)。光子计数通道(212)、积分通道(210)和矩生成通道(214)处理所述数字光电倍增器(204)的输出信号。重建器(122)对第一、第二和第三输出信号进行光谱解析。在一个实施例中，仅在辐射通量低于预定阈值的情况下，控制器(232)激活所述光子计数通道(212)以处理所述数字信号。成像系统包括至少一个直接转换层(302)和至少两个闪烁体层(304)和对应的光电传感器(306)。光子计数通道(212)处理所述至少一个直接转换层(302)的输出，且积分通道(210)和矩生成通道(214)处理所述光电传感器的相应输出。重建器(122)光谱解析所述第一、第二和第三输出信号。
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公开(公告)号：CN101680955A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020657.7
申请日：2008-05-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: G01T1/171
Abstract: 一种装置，包括一种积分器(120)，其生成具有指示所探测到的光子的能量的峰值幅值的脉冲。第一放电电路(136)以第一放电速度使所述积分器(120)放电，而第二放电电路(124)以第二放电速度使该积分器(120)放电。所述第一放电速度低于所述第二放电速度。
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公开(公告)号：CN101253624A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031273.6
申请日：2006-08-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/552 , H01L2223/6622 , H01L2224/13 , H01L2224/13025
Abstract: 一种穿通晶片互连，其允许为检测器芯片使用有成本效率的衬底。根据本发明的示范性实施例，可以提供应用在检验设备中的检测元件，包括具有灵敏区的晶片和同轴的穿通晶片互连结构。这样可以通过提供有效屏蔽来降低互连的敏感度。
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公开(公告)号：CN101128746A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200580046170.2
申请日：2005-12-19
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
CPC classification number: G01T1/2928 , G01T1/247
Abstract: 本发明通过提供具有多个传感器元件的辐射传感器(104)，其中，每个传感器元件具有光电检测部分和集成电流频率变换器，这种集成电流频率变换器用于所获取的模拟信号的嵌入模/数转换，这种模拟信号表明撞击在光电检测部分上的电磁辐射的强度。检测器元件通常对应于光检测器如光电二极管的像素。优选电流频率变换器和光电转换部分互为旁边地布置在共用基板上并且在CMOS技术的基础上实现，并且虑及辐射传感器的有成本效率的大规模制造。
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公开(公告)号：CN102395901B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080016540.9
申请日：2010-03-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/164
CPC classification number: G01T1/1647 , G01T1/2985
Abstract: 一种成像系统包括闪烁体阵列(202)和数字光电倍增器阵列(204)。光子计数通道(212)、积分通道(210)和矩生成通道(214)处理所述数字光电倍增器(204)的输出信号。重建器(122)对第一、第二和第三输出信号进行光谱解析。在一个实施例中，仅在辐射通量低于预定阈值的情况下，控制器(232)激活所述光子计数通道(212)以处理所述数字信号。成像系统包括至少一个直接转换层(302)和至少两个闪烁体层(304)和对应的光电传感器(306)。光子计数通道(212)处理所述至少一个直接转换层(302)的输出，且积分通道(210)和矩生成通道(214)处理所述光电传感器的相应输出。重建器(122)光谱解析所述第一、第二和第三输出信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101680954A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017990.2
申请日：2008-05-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: G01T1/171
Abstract: 一种装置包括定标因子确定器(236)，其基于针对能量阈值测量的探测到的光子的数量的计数以及估计的探测到的光子的所述数量的实际计数确定计数定标因子。所述光子包括由辐射敏感探测器探测到的多能光子。该装置还包括计数定标器(136)，其使用所述计数定标因子以针对不同能量阈值对测量的探测到的光子的计数进行定标。
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公开(公告)号：CN101501527A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780030087.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: G01T1/17
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器，尤其是X射线探测器(100)，其包括对探测器的(子)像素(2)产生的电脉冲进行计数的计数电路(10，20，30)。在该计数电路中，每隔一段时间将快速计数级(10)计数的结果传送到慢速计数级(20)。快速计数级(10)例如可以包括具有低位深的快速计数器(111)，所述快速计数器(111)作为慢速计数级(20)中的高位深慢速计数器(121)前方的分频器而工作。任选地，可以经由多路复用器(4)向计数电路(10，20，30)提供若干(子)像素(2)的信号。此外，辐射装置的像素(1，2)可以任选提供能量分解脉冲。
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公开(公告)号：CN101410972A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010965.7
申请日：2007-03-16
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/131 , H01L2924/014
Abstract: 本发明描述了一种用于半导体衬底(600)上形成的电子芯片的低欧姆晶片通孔互连(TWI)。该TWI包括在衬底(600)的前表面和背表面之间延伸的第一连接部(610)。第一连接部(610)包括填充有低欧姆材料的通孔，该材料的电阻率低于多晶硅。该TWI还包括也在前表面和背表面之间延伸的第二连接部(615)。第二连接部(615)与第一连接部(610)在空间上由半导体衬底(600)的至少一部分隔开。前表面设有集成电路布置(620)，其中，第一连接(610)电耦合到集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透集成电路布置(620)。在处理TWI期间，首先可以用非金属材料，例如多晶硅来填充通孔。当在前表面上形成集成部件(620)之后，可以减薄衬底(600)，并可以用低欧姆材料，尤其是金属材料来替代非金属材料。
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公开(公告)号：CN1768471A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480009053.4
申请日：2004-03-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： J·F·埃斯格维拉斯 , M·温德特 , R·斯特德曼
CPC classification number: H03F1/3264 , H03F1/30 , H03F3/217
Abstract: 近来，D类音频放大器的使用已经变得越来越普遍。与通常使用的A－B类线性放大技术相比，D类实现了改良的效率。然而，D类的原理因其较差的失真特性而著名。根据本发明，提供一种用于把输入信号变换为功率输出的数字放大器。根据本发明的数字放大器包括一个电源波纹预先补偿电路，用于根据输入信号补偿在提供给数字放大器的桥接电路的电源电压上的电压波纹。通过这样，可以补偿在提供给桥接器的电源电压中已被发现引起数字放大器的输出信号中的主要失真部分的电源波纹。
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公开(公告)号：CN1742212A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002950.2
申请日：2004-01-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： G·福格特迈尔 , F·莫拉莱斯塞尔拉诺 , R·斯特德曼
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2018
Abstract: 本发明涉及用于检测X辐射的X射线检测器，特别地用于计算机层析X射线摄影(CT)系统中。根据本发明的X射线检测器由光敏器件组成，包括独立的检测器元件(1)，在这些检测器元件上布置闪烁器元件(2)。这些将入射X射线光(6)转换成利用位于检测器元件上的光电二极管(4)检测的可见光或UV光(7)。根据本发明，在闪烁器元件(2)和检测器元件(1)之间布置微透镜(3)，其将离开闪烁器元件(2)的光(7)聚焦在光电二极管(4)上。以这样的方式，有可能将检测器元件的大区域用于光电二极管(4)外部的其他电子元件(5)，并且同时保证高DQE(检测量子效率)，即，实际上充分利用离开闪烁器元件(2)的光(7)。同时，有效地阻止来自相邻检测器元件的散射辐射的串扰。
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