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公开(公告)号:CN109686798B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201811579272.6
申请日:2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , C30B19/02
Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法,属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底,以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中,Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化,即Bi半金属薄膜厚度增加,复合薄膜的红外光反射强度减弱,光学吸收增强,光电效应增加,使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景;同时,该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测,可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
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公开(公告)号:CN109686798A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811579272.6
申请日:2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , C30B19/02
Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法,属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底,以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中,Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化,即Bi半金属薄膜厚度增加,复合薄膜的红外光反射强度减弱,光学吸收增强,光电效应增加,使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景;同时,该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测,可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
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