公开(公告)号：CN103636091B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280029018.3

申请日：2012-06-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 保罗·J·墨菲 ,  盖瑞·E·迪克森

IPC: H02H9/02 ,  H02H9/04

CPC classification number: H02H7/001 ,  H02H9/023 ,  Y02E40/68 ,  Y02E40/69

Abstract: 一种超导故障电流限制器回复系统，包括：超导故障电流限制器；分流器，并联电性耦接超导故障电流限制器；以及旁通路径，也并联电性耦接超导故障电流限制器。旁通路径使负载电流能够在旁通情况下流经旁通路径。因此，可在故障情况后经由旁通路径快速重建负载电流以供应负载，同时在故障情况后超导故障电流限制器的超导体能有时间恢复超导状态。

公开(公告)号：CN103636091A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280029018.3

申请日：2012-06-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 保罗·J·墨菲 ,  盖瑞·E·迪克森

IPC: H02H9/02 ,  H02H9/04

CPC classification number: H02H7/001 ,  H02H9/023 ,  Y02E40/68 ,  Y02E40/69

Abstract: 一种超导故障电流限制器回复系统，包括：超导故障电流限制器；分流器，并联电性耦接超导故障电流限制器；以及旁通路径，也并联电性耦接超导故障电流限制器。旁通路径使负载电流能够在旁通情况下流经旁通路径。因此，可在故障情况后经由旁通路径快速重建负载电流以供应负载，同时在故障情况后超导体故障电流限制器的超导体能有时间恢复超导状态。

公开(公告)号：CN101939822A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104251.1

申请日：2009-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  盖瑞·E·迪克森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示一种含碳物种的冷植入技术。在一例示性实施例中，此技术可以以一种离子注入装置来实现。离子注入装置包括冷却设备以及离子注入机。冷却设备将目标材料冷却至预定温度。离子注入机在预定温度下将含碳物种植入目标材料，以改善张力和非晶化的至少其中之一。