公开(公告)号：CN108140527B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201680057536.4

申请日：2016-10-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  克里斯汀·拉恩斯 ,  威廉·里维特 ,  丹尼尔·布洛斯南

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/30

Abstract: 本文中提供加速器/减速器、离子植入系统以及用于控制加速器/减速器内的离子束的方法。在示例性方面中，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；以及终端抑制电极，耦合至终端，其中所述终端抑制电极用以经由所述终端抑制电极的孔传导所述离子束，并从第一电压源对所述离子束施加第一电位。所述系统还包括透镜，所述透镜耦合至所述终端并邻近所述终端抑制电极安置，其中所述透镜用以经由所述透镜的孔传导所述离子束并从第二电压源对所述离子束施加第二电位。在示例性方面中，所述透镜与所述终端抑制电极电绝缘并独立地受到驱动，因此能够实现增大的离子束电流操作范围。

公开(公告)号：CN108140527A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057536.4

申请日：2016-10-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  克里斯汀·拉恩斯 ,  威廉·里维特 ,  丹尼尔·布洛斯南

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/30

Abstract: 本文中提供用于控制加速器/减速器内的离子束的方法。在示例性方面中，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；以及终端抑制电极，耦合至终端，其中所述终端抑制电极用以经由所述终端抑制电极的孔传导所述离子束，并从第一电压源对所述离子束施加第一电位。所述系统还包括透镜，所述透镜耦合至所述终端并邻近所述终端抑制电极安置，其中所述透镜用以经由所述透镜的孔传导所述离子束并从第二电压源对所述离子束施加第二电位。在示例性方面中，所述透镜与所述终端抑制电极电绝缘并独立地受到驱动，因此能够实现增大的离子束电流操作范围。