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公开(公告)号:CN106482866B
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201610676718.1
申请日:2016-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路和电子控制单元。为了提供一种能够预测归因于时效劣化的其自身寿命(磨损故障)和通知警告的半导体集成电路,它包括形成在相同半导体衬底上的处理器、温度传感器、非易失性存储器和比较器。比较器将由温度传感器测得的温度与预定温度阈值进行比较,且非易失性存储器累积地保持关于温度超出温度阈值时的时段的信息(累积时间)。当温度超出温度阈值时的累积时间超出预定高温时间阈值时,半导体集成电路向外界通知警告。
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公开(公告)号:CN106482866A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610676718.1
申请日:2016-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路和电子控制单元。为了提供一种能够预测归因于时效劣化的其自身寿命(磨损故障)和通知警告的半导体集成电路,它包括形成在相同半导体衬底上的处理器、温度传感器、非易失性存储器和比较器。比较器将由温度传感器测得的温度与预定温度阈值进行比较,且非易失性存储器累积地保持关于温度超出温度阈值时的时段的信息(累积时间)。当温度超出温度阈值时的累积时间超出预定高温时间阈值时,半导体集成电路向外界通知警告。
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