保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111093987B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201880060022.3

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上,规定HSP空间,并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时,该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

    保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111093986A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880059994.0

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片中的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该树脂成分(X)的HSP的极性项δP为7.5MPa1/2以下,规定HSP空间,并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时,该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

    保护膜形成膜、辊体及保护膜形成膜的应用

    公开(公告)号:CN116891612A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310080801.2

    申请日:2023-02-08

    Inventor: 小桥力也

    Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜,其利用下述式(1)算出的压缩变形率为5.0%以下。压缩变形率(%)={(初始位移‑压缩位移)/初始位移}×100…(1)式(1)中,“初始位移”是将所述保护膜形成膜夹持于粘弹性测定装置的压缩测定用夹具之间时,进行压缩前的所述压缩测定用夹具之间的间隙,“压缩位移”是此后使用所述粘弹性测定装置并以23℃、0.1MPa对所述保护膜形成膜进行600秒压缩后的所述压缩测定用夹具之间的间隙。

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