保护膜形成用复合片
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108778731A

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201780010062.2

    申请日:2017-04-25

    CPC classification number: B32B27/16 C09J7/20 H01L23/00

    Abstract: 本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、具有良好的切割适性、且具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。本发明的保护膜形成用复合片1A在支撑片10上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜13,对所述保护膜形成用膜13照射能量射线从而制成保护膜时,所述保护膜与所述支撑片10之间的粘着力为100~2000mN/25mm。

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