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公开(公告)号:CN108778731A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201780010062.2
申请日:2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/16 , H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、具有良好的切割适性、且具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。本发明的保护膜形成用复合片1A在支撑片10上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜13,对所述保护膜形成用膜13照射能量射线从而制成保护膜时,所述保护膜与所述支撑片10之间的粘着力为100~2000mN/25mm。
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公开(公告)号:CN112534554B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN201980052131.5
申请日:2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , B32B7/022 , B32B27/00 , C09J7/38 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带,其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1),其具有黏弹性层℃下的tanδ值为0.2以上,对于黏弹性层(12),对圆柱形状的评价用试样于50℃施加10%(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时,用[logG(t)max‑logG(t)min]求出的松弛弹性模量波动值X2为0.12以上。(12),在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中,50
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公开(公告)号:CN112534554A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201980052131.5
申请日:2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , B32B7/022 , B32B27/00 , C09J7/38 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带,其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1),其具有黏弹性层(12),在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中,50℃下的tanδ值为0.2以上,对于黏弹性层(12),对圆柱形状的评价用试样于50℃施加10%(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时,用[logG(t)max‑logG(t)min]求出的松弛弹性模量波动值X2为0.12以上。
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