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公开(公告)号:CN119582700A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411724146.0
申请日:2024-11-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02P29/024 , H02P29/032 , H02P23/14 , H02P27/08
Abstract: 本发明公开了一种电机的控制方法、装置、电机、存储介质和计算机程序产品,电机的控制器处设置有信号判断模块和调速模块;判断模块能够根据控制器输出的电机转速信息输出电平信息;调速模块能够根据判断模块输出的电平信息控制电机的绕组电流;该方法包括:获取电机控制器输出的电机的转速信息;在判断模块中,根据电机的转速信息确定电机是否发生堵转,并输出相应的电平信息;若确定电机发生堵转,则在调速模块中,根据判断模块输出的电平信息控制电机的绕组电流。该方案,通过根据电机转速信息判断电机是否发生堵转,发生堵转时及时控制电机的绕组电流,防止电机发生损坏,提高了电机的使用寿命。
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公开(公告)号:CN116232036A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310027848.2
申请日:2023-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种驱动电路及其控制方法,通过设置第一延时电路、第一开关装置和第一电阻,在驱动信号输入端的驱动信号为开通驱动信号的情况下,控制第一开关装置闭合,使所述开通电阻与所述第一电阻并联,改变了驱动电阻的大小,能够减少SiC MOSFET开启时的功率损耗。
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公开(公告)号:CN116015112A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202310012963.2
申请日:2023-01-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海凯邦电机制造有限公司
IPC: H02P6/00
Abstract: 本发明创造属于无刷直流电机控制的技术领域,具体涉及了一种超前角的确定方法、装置、设备、存储介质及电路。本申请通过获取无刷直流电机的当前相电压;获取所述无刷直流电机的当前参考电压;根据所述当前相电压和所述参考电压确定所述无刷直流电机的当前超前角。解决了现有技术中动超前角在电机空载或负载低转速状态时,电流延时角度小,由于超前角补偿过大,导致电机空载振动或低转速负载噪音明显的问题,实现了无刷直流电机多个工作点的效率优化,降低了无刷直流电机空载振动或低转速负载噪音。
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公开(公告)号:CN119695789A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411860266.3
申请日:2024-12-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02H7/085
Abstract: 本发明公开了一种电机的控制方法、装置、电机、存储介质和计算机程序产品,电机包括检测模块、判断模块、保护模块;检测模块用于根据电机的运行电流输出电压信号;判断模块用于根据电压信号输出电平信号;保护模块用于根据电平信号控制电机的绕组电流;该方法包括:获取检测模块输出的电压信号;在判断模块中,根据电压信号确定是否需要对电机进行限流保护,并输出相应的电平信号;若确定需要对电机进行限流保护,则在保护模块中,根据电平信号控制电机的绕组电流。该方案,通过设置对电机限流保护的模块,在电机运行电流过大时能够快速响应以进行限流保护,提高了限流保护的响应速度和保护效率。
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公开(公告)号:CN116937850A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310888070.4
申请日:2023-07-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种转子及电机,涉及转子技术领域,解决了电机振动噪音大、齿槽转矩谐波大的技术问题。该转子包括两段转子铁芯和永磁体,转子铁芯上具有永磁体槽,永磁体固定在永磁体槽内;永磁体为两侧接触面分别局部向外平移形成具有双截面的变截面矩形结构;双截面之间还具有旋转夹角b;两段转子铁芯之间存在与双截面相同旋转角度的偏移预定角度,以在拼接后形成斜极转子;该电机包括转子。本发明采用分段斜极转子,大幅度增加齿槽转矩周期、降低齿槽转矩幅值、大幅度降低振动、噪音;通过采用双截面永磁体,保证永磁体吸附在两段转子铁芯的中心处,大幅度提高转子的结构强度。
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公开(公告)号:CN116232017A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310105298.1
申请日:2023-02-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/042
Abstract: 本申请公开了的电流反馈驱动方法、电路、存储介质及电子设备,所述电流反馈驱动方法包括:在SiC MOSFET的栅极驱动电路的输出端设置有第一电流源和第二电流源;检测SiC MOSFET的漏源电压变化率和漏源电流变化率,根据所述漏源电压变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第一电流源之间的通断;根据所述漏源电流变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第二电流源之间的通断。本实施例提供的所述电流反馈驱动方法通过动态调整四个阶段驱动电流大小,提高SiC MOSFET的开通速度和关断速度,从而极大的改善开通时间和关断时间,优化开通损耗和关断损耗。
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