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公开(公告)号：CN117051470A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311050849.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种掺铊碘化钠晶体的制备方法，属于卤化物闪烁晶体生长制备技术领域，包括两次晶体生长过程，首先使用坩埚下降法进行第一次晶体生长，进行筛选，筛选出合格产品和瑕疵晶体，瑕疵晶体筛选后进行处理，之后使用坩埚下降法进行第二次晶体生长，使用本发明所述方法处理的回收晶体料可以生长2‑4 L大尺寸掺铊碘化钠且晶体内部没有杂质，点缺陷出现的几率更低，原子排列更加紧密，单晶性能更强，充分利用了第一次晶体制备过程中的晶体回收料，使原材料利用率达到80%以上，且第二次生长的大尺寸掺铊碘化钠晶体能量分辨率小于7%，光产额增加8%以上。
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公开(公告)号：CN116837457A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310437516.1
申请日：2023-04-23
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于定向区熔生长卤化物晶体的方法和夹具，夹具包括嵌入晶体生长容器端部的石英塞，所述石英塞内侧为圆形通孔且圆形通孔内嵌入籽晶放置管，所述石英塞和籽晶放置管的轴线重合，所述籽晶放置管左侧封闭且内侧中心放置籽晶和与籽晶通过套筒连接的螺纹杆，所述籽晶放置管上下两侧分别螺纹连接有对籽晶上下位置进行调节的第一可调节旋钮，两个第一可调节旋钮的端部均固定设置有用于夹持籽晶的弧形夹片，所述籽晶放置管下侧螺纹连接有支撑并调节螺纹杆上下位置的第二可调节旋钮，所述螺纹杆通过传动装置调节籽晶的前后位置。本发明提高了夹持籽晶的稳定性与可调性，增强了籽晶与晶体生长原料的契合度，从而提高了籽晶的引晶效果。
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公开(公告)号：CN113461985B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110832854.6
申请日：2021-07-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种高亮度高附着性低角度依赖的结构色薄膜制备方法，其包括：在单分散二氧化硅纳米微球的乙醇溶液中掺杂不同比例的环氧树脂预凝胶，将其滴加在不同材质的基底上，由温度控制平台加热进行蒸发自组装形成结构色薄膜。用该方案所制备出的结构色薄膜具有耐摩擦、抗弯曲、低角度依赖和改善咖啡环效应等特点，极大的提升了蛋白石结构色薄膜的机械强度和应用范围，使用简单的改性方法即可使其应用在大面积结构色薄膜制备、光子颜料和防伪标签等应用领域。能解决基于单分散二氧化硅微球自组装形成的蛋白石薄膜易碎和易被擦除的问题。
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公开(公告)号：CN113912896B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111078134.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光子带隙匹配的复合防伪薄膜制备方法，涉及结构色薄膜技术领域，包括：使用单分散二氧化硅纳米微球的乙醇溶液进行提拉自组装得到光子晶体结构，通过掩模法将掺杂稀土铝酸锶材料和炭黑的环氧树脂预凝胶在光子晶体结构上形成图案，由温度控制平台加热固化，随后再度浇筑掺有炭黑的环氧树脂预凝胶并加热固化。本发明方案所制备出的结构色薄膜具有多重防伪、高稳定性和快速响应等特点，极大的提升了结构色薄膜在防伪方面的应用范围，使用简单的光子带隙匹配方法，达到在紫外光照射下无法显示底层图案的效果，便于解决基于结构色的防伪薄膜制备繁琐、造价昂贵且验证复杂的问题。
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公开(公告)号：CN113461985A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110832854.6
申请日：2021-07-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种高亮度高附着性低角度依赖的结构色薄膜制备方法，其包括：在单分散二氧化硅纳米微球的乙醇溶液中掺杂不同比例的环氧树脂预凝胶，将其滴加在不同材质的基底上，由温度控制平台加热进行蒸发自组装形成结构色薄膜。用该方案所制备出的结构色薄膜具有耐摩擦、抗弯曲、低角度依赖和改善咖啡环效应等特点，极大的提升了蛋白石结构色薄膜的机械强度和应用范围，使用简单的改性方法即可使其应用在大面积结构色薄膜制备、光子颜料和防伪标签等应用领域。能解决基于单分散二氧化硅微球自组装形成的蛋白石薄膜易碎和易被擦除的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108866624A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810802771.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域，涉及一种铅掺杂一碘化铟多晶薄膜的制备方法，其具体包括以下步骤：S1、将预设浓度比的铅、铟和碘采用两温区气相合成法合成铅掺杂一碘化铟多晶；S2、将铅掺杂一碘化铟多晶研磨成粉末，放入坩埚内作为蒸发源；S3、将玻璃片作为蒸镀沉淀衬底，悬挂在坩埚上方25cm处；S4、将坩埚和玻璃片放入热蒸发真空腔室，控制腔室的背底真空度达到1.5×10‑3Pa以下；S5、在薄膜生长过程中，实时监测加热速率和蒸镀厚度，以20℃/min的速率加热蒸发源至50～90℃，控制薄膜沉积速率在沉积得到800nm的铅掺杂一碘化铟多晶薄膜；S6、将步骤S5得到的铅掺杂一碘化铟多晶薄膜冷却至室温，完成薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN116856056A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310901389.6
申请日：2023-07-21
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种锌铊共掺碘化钠晶体与生长方法，该晶体的组成通式为Znx:Tly:NaI，其中x为Zn的掺杂浓度，0.05％≤x≤0.50％mol，y为Tl的掺杂浓度，0.16％≤y≤0.20％mol；以坩埚下降法进行晶体生长，称取NaI、TlI、ZnI2进行混合、密封于坩埚中，将密封好的坩埚置于晶体生长炉中进行升温度至780～830℃，保持温度至原料完全熔化并混合均匀；然后设置温度梯度8～10℃/cm，坩埚以1.5～3.0mm/h的速度在炉体内下降进行晶体生长；生长完成再以6～8℃/h退火速率降至室温。Zn:Tl:NaI晶体提高了Tl:NaI晶体的闪烁性能，且晶体具有良好的单一性与光学均匀性。
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公开(公告)号：CN113912896A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111078134.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光子带隙匹配的复合防伪薄膜制备方法，涉及结构色薄膜技术领域，包括：使用单分散二氧化硅纳米微球的乙醇溶液进行提拉自组装得到光子晶体结构，通过掩模法将掺杂稀土铝酸锶材料和炭黑的环氧树脂预凝胶在光子晶体结构上形成图案，由温度控制平台加热固化，随后再度浇筑掺有炭黑的环氧树脂预凝胶并加热固化。本发明方案所制备出的结构色薄膜具有多重防伪、高稳定性和快速响应等特点，极大的提升了结构色薄膜在防伪方面的应用范围，使用简单的光子带隙匹配方法，达到在紫外光照射下无法显示底层图案的效果，便于解决基于结构色的防伪薄膜制备繁琐、造价昂贵且验证复杂的问题。
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公开(公告)号：CN202502144U
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201220103790.2
申请日：2012-03-20
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本实用新型公开了一种测量电解槽阳极电流的装置，多个电流传感器、A/D转换电路和显示发送端，电流传感器通过C形的电流传感器固定装置与电解槽上各阳极导杆相接触，电流传感器分别采集电解槽上各阳极导杆的数据，经所述A/D转换电路转换后由所述显示发送端传送给上位机，并所述显示发送端显示所述数据。本实用新型能够大大增加电流的测量效率，最大限度的减少人工操作、不需要改变电解槽的结构，只需要一次安装便可以连续使用，使用寿命长，能够抗高温，不污染环境，大大提高电流测量效率，从而有效减少电解槽的效应次数、增加电解槽的出铝效率。
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公开(公告)号：CN202502147U
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201220103791.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 燕山大学
IPC: G01R19/252
Abstract: 本实用新型涉及电解槽电流测量领域，具体地来说为具有测量精度高的一种电解槽阳极电流测试装置。包括，与电解槽阳极接触的传感器、将传感器所测的电流转化为数字信号的A/D转化器、以及接受并发送来自A/D转化器输出信号的采集发送器，传感器与A/D转化器之间连接有差分放大器，传感器所检测的信号通过差分放大器输出给A/D转化器。本实用新型具有抗干扰，测量精确度高等优点。
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