公开(公告)号：CN116856056A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310901389.6

申请日：2023-07-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐朝鹏 ,  尹祖荣 ,  田东升 ,  张斌 ,  徐悟生 ,  张镇玺 ,  贾永超

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种锌铊共掺碘化钠晶体与生长方法，该晶体的组成通式为Znx:Tly:NaI，其中x为Zn的掺杂浓度，0.05％≤x≤0.50％mol，y为Tl的掺杂浓度，0.16％≤y≤0.20％mol；以坩埚下降法进行晶体生长，称取NaI、TlI、ZnI2进行混合、密封于坩埚中，将密封好的坩埚置于晶体生长炉中进行升温度至780～830℃，保持温度至原料完全熔化并混合均匀；然后设置温度梯度8～10℃/cm，坩埚以1.5～3.0mm/h的速度在炉体内下降进行晶体生长；生长完成再以6～8℃/h退火速率降至室温。Zn:Tl:NaI晶体提高了Tl:NaI晶体的闪烁性能，且晶体具有良好的单一性与光学均匀性。

公开(公告)号：CN117051470A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311050849.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐朝鹏 ,  田东升 ,  张斌 ,  徐悟生 ,  力茂林 ,  尹祖荣 ,  张镇玺 ,  贾永超

IPC: C30B11/04 ,  C30B29/12 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种掺铊碘化钠晶体的制备方法，属于卤化物闪烁晶体生长制备技术领域，包括两次晶体生长过程，首先使用坩埚下降法进行第一次晶体生长，进行筛选，筛选出合格产品和瑕疵晶体，瑕疵晶体筛选后进行处理，之后使用坩埚下降法进行第二次晶体生长，使用本发明所述方法处理的回收晶体料可以生长2‑4 L大尺寸掺铊碘化钠且晶体内部没有杂质，点缺陷出现的几率更低，原子排列更加紧密，单晶性能更强，充分利用了第一次晶体制备过程中的晶体回收料，使原材料利用率达到80%以上，且第二次生长的大尺寸掺铊碘化钠晶体能量分辨率小于7%，光产额增加8%以上。

公开(公告)号：CN116837457A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310437516.1

申请日：2023-04-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐朝鹏 ,  尹祖荣 ,  张镇玺 ,  贾永超 ,  力茂林 ,  田东升

IPC: C30B27/00 ,  C30B29/12 ,  C30B27/02

Abstract: 本发明公开了一种应用于定向区熔生长卤化物晶体的方法和夹具，夹具包括嵌入晶体生长容器端部的石英塞，所述石英塞内侧为圆形通孔且圆形通孔内嵌入籽晶放置管，所述石英塞和籽晶放置管的轴线重合，所述籽晶放置管左侧封闭且内侧中心放置籽晶和与籽晶通过套筒连接的螺纹杆，所述籽晶放置管上下两侧分别螺纹连接有对籽晶上下位置进行调节的第一可调节旋钮，两个第一可调节旋钮的端部均固定设置有用于夹持籽晶的弧形夹片，所述籽晶放置管下侧螺纹连接有支撑并调节螺纹杆上下位置的第二可调节旋钮，所述螺纹杆通过传动装置调节籽晶的前后位置。本发明提高了夹持籽晶的稳定性与可调性，增强了籽晶与晶体生长原料的契合度，从而提高了籽晶的引晶效果。