公开(公告)号：CN114538501A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210234274.1

申请日：2022-03-10

Applicant: 燕山大学

Inventor： 杨静凯 ,  任望为 ,  张佳欣 ,  崔延 ,  孙宇 ,  赵洪力 ,  梁波

IPC: C01G19/02 ,  B01J20/06 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  B01J23/14 ,  B01J35/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/28 ,  C02F1/30 ,  C02F101/22 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明公开了一种氧空位缺陷的SnO2纳米材料，及其制备、使用方法，本发明采用Sn2+为锡源，通过低温下的水热过程将其部分氧化为Sn4+，在SnO2晶格中引入氧空位缺陷。本发明获得的氧空位缺陷的SnO2在应用于吸附和光催化时展现出良好的性能，因氧空位的存在使其具有更宽的光响应范围、更强的光生电子和空穴分离效率、更多的表面吸附和氧化还原反应活性位点，可在环境修复方面发挥作用，对甲基橙的吸附效率为43.4％，模拟太阳光照6min对甲基橙的降解效率高达98.0％，对Cr(VI)的吸附效率为78.0％，模拟太阳光照4min对Cr(VI)的还原效率高达98.3％。本发明的氧空位缺陷的SnO2纳米材料是一种集优异的吸附和光催化活性于一体的光催化剂，其具有优异的吸附和光催化性能，能够应用于多个场景。