一种耐辐照保偏光纤及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111443423A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010172767.8

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 本申请涉及一种耐辐照保偏光纤及其制备方法,涉及光纤制备领域。该耐辐照保偏光纤包括纯石英纤芯、一对应力部以及包层,应力部由掺硼石英玻璃形成,设置于纯石英纤芯的两侧,包层包围纯石英纤芯以及应力部,包层由第一包层和第二包层组成,第二包层设置于第一包层的外周,其中,第一包层由掺氟石英玻璃形成,第二包层由纯石英玻璃形成。通过本申请制备的耐辐照保偏光纤具有优异的耐辐照性能,保偏光纤的工作波长为1310nm和1550nm双窗口,在200krad辐照总剂量下,其感生损耗在2dB/km以下。本申请的耐辐照保偏光纤能够在恶劣的辐射条件下,实现保偏光纤的低损耗信息传输,并且保持较好的全温串音。

    一种低损耗光子晶体光纤的制备方法

    公开(公告)号:CN105607182B

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201610005835.5

    申请日:2016-01-06

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗光子晶体光纤及其制备方法,制备方法包括以下步骤:制备一根高纯芯棒,经外喷、烧结形成中心石英层,高纯芯棒进而形成中心芯棒;以所述中心芯棒为靶棒,在其外围沿圆周方向均匀放置若干第一靶棒,经外喷、烧结形成第一石英层,然后依次向外围设置至最后一层的第N靶棒(N>=1),外喷、烧结完毕,其中靶棒的层数与所加工的光纤的石英层的层数相同,各层的靶棒数目与各石英层的孔数相同;接续尾管,采用气压控制拉制成光子晶体光纤。本发明,可高效率、低成本的大规模制造低损耗光子晶体光纤,使制得的光纤具有良好的衰减特性和超强的弯曲不敏感性。

    一种低串扰轨道角动量传输光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN108680990A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810381004.7

    申请日:2018-04-25

    CPC classification number: G02B6/03661 G02B6/03694

    Abstract: 本发明公开了一种低串扰轨道角动量传输光纤,其裸光纤包括由内向外依次布置的中心包层、下陷包层、环形芯层和外包层;所述中心包层和所述外包层折射率相同;所述环形芯层的最高折射率大于所述下陷包层的最高折射率以及所述中心包层的折射率;所述下陷包层最低折射率小于所述环形芯层的最低折射率以及所述中心包层的折射率。本发明具有渐变折射率的环形纤芯结构,能够契合OAM模式的空间相位分布特性,实现OAM模式的高效、低串扰的大容量、高保真传输,且相较于常规阶跃型环形纤芯结构,对高阶OAM模式的串扰影响更小。

    一种耐高温光纤
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103777269B

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201410017136.3

    申请日:2014-01-15

    Abstract: 一种耐高温光纤,涉及光纤制造领域,包括光纤本体和覆盖于其上的涂层,所述光纤本体由内至外覆有三层涂层,所述最外层的第三涂层为杨氏模量高于3GPa的聚酰亚胺,所述第一涂层为碳时,第二涂层为杨氏模量低于1GPa的聚酰亚胺;第一涂层为杨氏模量低于1.5MPa的聚丙烯酸树脂时,第二涂层为杨氏模量高于1GPa的耐高温聚丙烯酸树脂。本发明在高温环境下比常规的双涂层光纤具有更优越的温度性能、更好的衰减等传输特性,使光纤的整体特性满足高温环境的要求,最高耐温达到350℃。

    超低损耗高带宽耐辐照多模光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN103543491B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201310552603.8

    申请日:2013-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种超低损耗高带宽耐辐照多模光纤及其制造方法,所述多模光纤自内而外依次为不掺杂Ge元素的芯层、氟掺杂石英包层、吸收杂质石英包层和石英包层,其中,不掺杂Ge元素的芯层的折射率为梯度渐变型折射率分布,且分布幂指数α为1.7~2.3;芯层与掺氟石英包层的相对折射率差最大值Δ1%max为0.6%~1.2%;掺氟石英包层的折射率低于吸收杂质石英包层折射率;吸收杂质石英包层的折射率不小于石英包层的折射率。本发明,引入了吸收杂质石英包层这个内包层结构,相比较单纯氟掺杂的内包层结构,其能够在辐照射线通过包层到达芯层前在该区域吸收部分光纤受到的辐射,减少芯层因辐射造成的结构缺陷从而提高光纤的耐辐射能力。

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