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公开(公告)号：CN100383691C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200310100475.X
申请日：2003-10-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。
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公开(公告)号：CN1320775C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410037724.X
申请日：2004-05-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于模拟信号处理和通信技术领域，涉及正交信号通路上消除信号幅度失配电路，包括：分别连接在正交信号通路的I路和Q路信号输出端的两个功率检测器，用于分别检测I、Q两路的输出功率；一个同时与该两个功率检测器的输出端相连的减法器，用于计算I路和Q路的功率之差；一个与该减法器的输出端相连的VGA控制信号产生器，用于产生I路和Q路VGA的增益控制信号，以此调整VGA的增益，使I、Q两路输出信号功率相等。本发明能够较好的解决接收机中正交信号的幅度失配问题。且具有提高工艺容差，降低通讯误码率的优点。
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公开(公告)号：CN1260893C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200310103418.7
申请日：2003-10-31
Applicant: 清华大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明属于无线通信设备技术领域，涉及集成射频锁相环型频率合成器。由采用CMOS工艺集成在一个芯片上的数字单元部件，模拟单元部件和由离片元件实现的环路滤波器组成，其中，该数字单元部件包括；R可编程计数器、P可编程计数器、S可编程计数器、三线串行接口电路、移位寄存器和功耗控制器；该模拟单元包括：鉴频鉴相器、双模预分频器、压控振荡器、电荷泵和恒跨导源；本发明的参考频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过三线串行接口进行控制，而且还实现了内部压控振荡器和外部压控振荡器选择、功耗控制等功能，使得该频率合成器具有极大的适应性，可以应用于多种通信系统中。
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公开(公告)号：CN1303764C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200310101664.9
申请日：2003-10-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于接收机射频前端技术领域，涉及具有高对称性和线性度的下变频器。它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，本发明通过引入在片偏置环路，极大地改善了该混频器的对称性和线性度。同时在片实现了输入阻抗匹配，并采用了开漏极输出。且在低电源电压和低电流消耗的条件下，达到了高转换增益、高线性度和低噪声系数等设计目标。
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公开(公告)号：CN1252912C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200310100474.5
申请日：2003-10-17
Applicant: 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，属无线通信技术领域。该射频放大器包括用于为信号放大器的输入端提供50欧姆输入阻抗的阻抗匹配电路，用于为共源输入晶体管提供负载的负载调谐回路，由负载调谐电感和节点寄生电容组成，用于为共源输入晶体管提供偏置的电阻，用于为信号放大器的输出端提供50欧姆输出阻抗的阻抗匹配电路。本发明提出的射频放大器，可以被用来作为接收机的射频低噪声放大器和发射机的前置放大器，其中射频低噪声放大器具有高增益和低增益两种工作模式，前置放大器具有很高的线性度，两种不同用途的射频放大器都实现了在片输入/输出阻抗匹配功能，可以降低射频系统的复杂性和成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1206809C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02159978.5
申请日：2002-12-31
Applicant: 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明属于模拟信号处理和通信技术领域，涉及直流电平转换器，由两个PMOS管M1和M2组成，其连接关系为：输入信号Vin接到PMOS管M1的栅极上，PMOS管M1的漏极连接到地，PMOS管M1的源极就是输出Vout，同时该节点连接PMOS管M2的漏极，PMOS管M2的源极连接到电源Vdd，PMOS管M2的栅极连接偏置电压VB，其特征在于，所说的PMOS管M2工作在弱反型区，即偏置电压VB与电源电压的差值小于PMOS管M2的阈值电压。本发明具有能够移动小于阈值电压、输入控制电压范围大、输出电压和输入电压曲线平行的优点。
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公开(公告)号：CN1538624A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310101664.9
申请日：2003-10-24
Applicant: 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
Abstract: 本发明属于接收机射频前端技术领域，涉及具有高对称性和线性度的下变频器。它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，本发明通过引入在片偏置环路，极大地改善了该混频器的对称性和线性度。同时在片实现了输入阻抗匹配，并采用了开漏极输出。且在低电源电压和低电流消耗的条件下，达到了高转换增益、高线性度和低噪声系数等设计目标。
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公开(公告)号：CN1416219A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02159978.5
申请日：2002-12-31
Applicant: 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 本发明属于模拟信号处理和通信技术领域，涉及直流电平转换器，由两个PMOS管M1和M2组成，其连接关系为：输入信号Vin接到PMOS管M1的栅级上，PMOS管M1的漏级连接到地，PMOS管M1的源级就是输出Vout，同时该节点连接PMOS管M2的漏极，M2的源级连接到电源Vdd，M2的栅极连接偏置电压VB，其特征在于，所说的M2管工作在弱反型区，偏置电压VB小于M2管的阈值电压。本发明具有能够移动小于阈值电压、输入控制电压范围大、输出电压和输入电压曲线平行的优点。
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公开(公告)号：CN1540869A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200310103418.7
申请日：2003-10-31
Applicant: 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明属于无线通信设备技术领域，涉及集成射频锁相环型频率合成器。由采用CMOS工艺集成在一个芯片上的数字单元部件，模拟单元部件和由离片元件实现的环路滤波器组成，其中，该数字单元部件包括；R可编程计数器、P可编程计数器、S可编程计数器、三线串行接口电路、移位寄存器和功耗控制器；该模拟单元包括：鉴频鉴相器、双模预分频器、压控振荡器、电荷泵和恒跨导源；本发明的参考频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过三线串行接口进行控制，而且还实现了内部压控振荡器和外部压控振荡器选择、功耗控制等功能，使得该频率合成器具有极大的适应性，可以应用于多种通信系统中。
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公开(公告)号：CN1529216A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310100475.X
申请日：2003-10-17
Applicant: 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。
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