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公开(公告)号：CN1305055C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410046031.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于光信息存储技术及器件的制备技术领域的一种有机光子高密度只读型光盘(OP-ROM)及其制作工艺。以有机分子为存储介质通过曝光发生的化学反应产生色态转变来实现母片上信息一次全录入到光盘的存储过程。制作过程包括将包含有活性剂、呈色剂、成膜剂和添加剂的存储材料溶液旋涂到光盘片基上制成空白光盘，再将母片覆盖在空白光盘上，然后进行曝光将信息录入到空白光盘上成为最终光盘。这样制作的光盘不仅仅可以提高信息存储密度和稳定性以及信息读取的灵敏度，而且能够与现行的光盘读取系统兼容。
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公开(公告)号：CN1280284C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03100552.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07D333/06 , C07D333/16 , C07D333/20 , C07D409/04 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24088
Abstract: 本发明公开了一种多阶光存储介质及其制备方法与专用生产原料。一种用于多阶光存储的介质，可以是非晶态膜片，也可以是光盘。本发明首次利用二芳基乙烯类光子型记录材料作为多阶存储介质，并在非晶态膜片上成功实现了8阶光信息存储和在光盘上进行了4阶存储。
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公开(公告)号：CN1743332A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510093042.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 清华大学
IPC: C07D495/02 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一种光致变色二芳烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的光致变色二芳烯化合物，结构如式I。本发明在尽量降低二芳烯分子量的同时引入了不对称基团，以降低分子的对称性，同时避免分子间其它作用力增强的可能性，如分子间的氢键。本发明光致变色二芳烯化合物熔点低，为－5℃，常温下为液体，具有较快的光反应速率、良好的抗疲劳性和双态稳定性，性质优良，具有广泛的应用前景，尤其在快速液态光开关材料中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100357304C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510112792.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 清华大学
IPC: C07F17/00 , C07D333/16 , H05B33/14
Abstract: 本发明公开了一种二芳烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的光致变色二芳烯化合物，其结构式如式I所示。本发明的二茂铁二芳烯化合物由于引入了苯环等功能基团，使得二芳烯的开环态和闭环态之间共轭范围变化增大；同时，在分子中存在金属铁原子，增大了二芳烯类光致变色材料的导电性，使得本发明二茂铁二芳烯化合物的开环态和闭环态的HOMO能级差异较大，闭环态的转化率很高，是一种性能优良的载流子开关材料。以本发明二茂铁二芳烯化合物为有机发光层的OLED器件，由于该化合物在紫外-可见光的不同状态，导致OLED器件在加压的情况下，可以采用紫外光和可见光来控制其发光性能，达到电控和光控的双控特性。
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公开(公告)号：CN1786010A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510112792.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 清华大学
IPC: C07F17/00 , C07D333/16 , H05B33/14
Abstract: 本发明公开了一种二芳烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的光致变色二芳烯化合物，其结构式如式I所示。本发明的二茂铁二芳烯化合物由于引入了苯环等功能基团，使得二芳烯的开环态和闭环态之间共轭范围变化增大；同时，在分子中存在金属铁原子，增大了二芳烯类光致变色材料的导电性，使得本发明二茂铁二芳烯化合物的开环态和闭环态的HOMO能级差异较大，闭环态的转化率很高，是一种性能优良的载流子开关材料。以本发明二茂铁二芳烯化合物为有机发光层的OLED器件，由于该化合物在紫外－可见光的不同状态，导致OLED器件在加压的情况下，可以采用紫外光和可见光来控制其发光性能，达到电控和光控的双控特性。
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公开(公告)号：CN1517344A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100547.0
申请日：2003-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07D333/06 , C07D333/16 , C07D409/04 , G11B7/24
Abstract: 本发明公开了一种多波长光存储材料及其制备方法与专用生产原料，生产原料为二芳基乙烯类光致变色化合物，是如下三类化合物中至少两种的混合物：(1)与532nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(2)与650nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(3)与780nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物。同时，本发明公开了用于多波长光存储的非晶态膜片和光盘并提供了它们的制备方法。利用本发明的方法，创造性地实现了三波长光信息存储。
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公开(公告)号：CN100427478C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN03100547.0
申请日：2003-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07D333/06 , C07D333/16 , C07D409/04 , G11B7/24
Abstract: 本发明公开了一种多波长光存储材料及其制备方法与专用生产原料组合物，生产原料组合物为二芳基乙烯类光致变色化合物，是如下三类化合物中至少两种的混合物：(1)与532nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(2)与650nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(3)与780nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物。同时，本发明公开了用于多波长光存储的非晶态膜片和光盘并提供了它们的制备方法。利用本发明的方法，创造性地实现了三波长光信息存储。
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公开(公告)号：CN1801359A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510105178.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: G11B7/244 , C07D333/06 , C07D409/04
Abstract: 本发明公开了二芳基乙烯类化合物的新用途。本发明发明人通过实验证实，采用结构式如式I的二芳基乙烯类化合物作为近场光存储介质，当在适当波长的激光照射下，被辐照区域有色的闭环态分子立即发生开环反应生成无色开环态分子，未被辐照区域的分子依然保持其结构和颜色，从而留下具有较高对比度的约为300～500nm近场记录光斑，表明该类化合物能在近场光存储中的应用，其中，X1、Y1、X2、Y2可以为C，S或N等；R1、R2可以为烷基、烯烃基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基、芳基等供电和吸电基团。
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