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公开(公告)号：CN118380440A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410418075.5
申请日：2024-04-08
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 刘念
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，涉及显示技术领域，其目的是解决相关技术中半导体器件的半导体层位置电容较大的问题。该半导体器件包括：衬底、源极、漏极、半导体层以及位于所述半导体层上且依次层叠的栅绝缘层和栅极。所述衬底包括位于同侧的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有形成段差的过渡面；所述源极和所述漏极分别位于所述第一表面和所述第二表面且在所述过渡面断开设置；所述半导体层连续覆盖所述源极和所述漏极。
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公开(公告)号：CN117995909B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410405595.2
申请日：2024-04-07
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 刘念
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L21/44 , G09F9/30
Abstract: 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管器件及其制备方法、显示面板，在薄膜晶体管器件中，无机绝缘层覆盖过孔的孔壁；有源层设置在第一电极、无机绝缘层和第二电极上；栅极绝缘层覆盖有源层；栅极设置在栅极绝缘层远离过孔的孔壁的一侧；其中，第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素。本申请实施例采用无机绝缘层覆盖过孔的孔壁，以弥补过孔孔壁因刻蚀造成的损伤，为有源层的形成提高良好背沟道膜面，从而提高薄膜晶体管器件的性能；第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素，可使得无机绝缘层、第一电极的至少部分、第二电极的至少部分采用同种材料经过高温氧化或氮化一次形成，节省光罩制程。
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公开(公告)号：CN113745262B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110948042.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板，以及安装于所述阵列基板上的发光器件。其中，所述阵列基板的表面图案化形成有第一VDD走线和第一VSS走线，所述对置基板的表面图案化形成有第二VDD走线和第二VSS走线。所述第一VDD走线通过第一导电层连接至所述第二VDD走线，所述第一VSS走线通过第二导电层连接至所述第二VSS走线，有利于大大降低显示面板的面内走线的电阻，从而使得显示面板各个位置的亮度均匀。
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公开(公告)号：CN113097241B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110301833.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制作方法，该显示基板包括位于基板上的源极和漏极，覆盖源极和漏极的第一层间介质层，位于第一层间介质层、源极和漏极上的第一导体层，位于第一导体层上的第一栅极绝缘层，以及位于第一栅极绝缘层上的第一栅极层。其中，第一层间介质层在源极和漏极的上方分别具有开孔，使第一导体层可以通过开孔与源极和漏极连接。由于第一导体层作为有源层，同时与源极和漏极连接作为源漏极的导线，因此不需要另外形成源漏极导线，结构简单。另外，第一层间介质层的开孔相对于现有结构中缓冲层和层间介质层的开孔，深度减小，因而可以降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN110854077B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201911034331.6
申请日：2019-10-29
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/423 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法，该方法包括：在玻璃基板上制作间隔设置的主栅极和次栅极，其中至少部分所述次栅极具有透光区域；在所述主栅极、所述次栅极以及所述玻璃基板上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作半导体层，对所述半导体层进行图案化处理得到主有源层和次有源层，所述次有源层的位置与所述透光区域的位置对应；在所述主有源层和所述次有源层以及栅绝缘层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到主源漏极和次源漏极。本发明的显示面板及其制作方法，能够增大光电流，从而提高触控功能的灵敏性和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113745262A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110948042.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板，以及安装于所述阵列基板上的发光器件。其中，所述阵列基板的表面图案化形成有第一VDD走线和第一VSS走线，所述对置基板的表面图案化形成有第二VDD走线和第二VSS走线。所述第一VDD走线通过第一导电层连接至所述第二VDD走线，所述第一VSS走线通过第二导电层连接至所述第二VSS走线，有利于大大降低显示面板的面内走线的电阻，从而使得显示面板各个位置的亮度均匀。
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公开(公告)号：CN113745250A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110974034.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本申请实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，包括衬底、触控走线以及有源层，触控走线和有源层同层设置。由于触控走线和有源层同层设置，从而可以采用一道光罩工艺同时形成有源层和触控走线，从而可以降低制备阵列基板所需要的光罩数，进而可以起到降低成本的效果。
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公开(公告)号：CN111474762B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010424501.8
申请日：2020-05-19
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1334 , G02F1/1333
Abstract: 本申请公开了一种液晶显示装置及其制作方法。该液晶显示装置包括层叠设置的阵列基板、聚合物网络液晶层以及彩膜基板；所述彩膜基板的上表面设有第一彩膜滤光片，其下表面设有第二彩膜滤光片；当聚合物网络液晶层为暗态时，穿过阵列基板的光线在聚合物网络液晶层散射后被第一彩膜滤光片和第二彩膜滤光片吸收，用以提高聚合物网络液晶层的暗态与其亮态的对比度。本申请通过彩膜基板上的双面彩膜滤光片吸收暗态时的散射光线，减少了在暗态时的漏光现象，降低了暗态时的亮度，从而暗态与亮态对比提升液晶显示装置的对比度。
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公开(公告)号：CN112420764A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011238092.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本申请涉及一种显示驱动基板、显示驱动基板的制作方法以及显示面板；所述显示驱动基板包括N个驱动单元；各驱动单元包括开关TFT区、驱动TFT区、电容区以及LED键合区；开关TFT区内的数据金属层和源极金属层设置在玻璃基板上，并通过第一半导体层连接；驱动TFT区内的电压源金属层和第一避光层设置在玻璃基板上，并通过第二半导体层连接，第二栅极金属层的另一端延伸设置在第一半导体层上；电容区内的第二避光层、第三栅极绝缘层和第三栅极金属层依次层叠设置在玻璃基板上，形成电容；电源电极金属层用于键合Micro LED；简化了显示驱动基板的工艺流程，相对于传统结构可缩小像素内开孔的尺寸，减少了电容占比，有利于提高像素密度。
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公开(公告)号：CN110854077A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911034331.6
申请日：2019-10-29
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/423 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法，该方法包括：在玻璃基板上制作间隔设置的主栅极和次栅极，其中至少部分所述次栅极具有透光区域；在所述主栅极、所述次栅极以及所述玻璃基板上制作栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作半导体层，对所述半导体层进行图案化处理得到主有源层和次有源层，所述次有源层的位置与所述透光区域的位置对应；在所述主有源层和所述次有源层以及栅绝缘层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到主源漏极和次源漏极。本发明的显示面板及其制作方法，能够增大光电流，从而提高触控功能的灵敏性和准确性。
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