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公开(公告)号：CN103869608A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410089150.4
申请日：2014-03-12
Applicant: 海南大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明属于微纳米级结构材料和器件的加工技术领域，尤其涉及一种压印设备及其加压方法。本发明解决现有的压印设备在热压印大面积的被压印物时存在被压印物成型质量差的问题。本发明的压板由加压装置驱动，支撑板被弹性元件顶抵且限制在导柱的长度范围内移动，压板上固定有由压模与被压印物贴合形成的压印组件，只要使用加压装置，再配合弹性元件，即可让支撑板与压板实现靠近或分离，而压模与被压印物相抵实现压印。该压印设备结构简单、操作方便而且成型质量好，能够实现特征尺寸20nm到2000nm的图形转移，适于大量制备各种纳米电子器件、光学器件、存储器、纳米流体通道、生物芯片等。
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公开(公告)号：CN103628111A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310558229.2
申请日：2013-11-12
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明公开了一种在大面积Ti网上制备均匀有序的TiO2纳米管阵列的方法，属纳米材料制备技术领域。直接使用金属槽作为对电极构建二电极阳极氧化体系，经表面清洁处理的大面积Ti网为阳极，在含F电解液中进行一定时间的阳极氧化，Ti网表面生成均匀有序的TiO2纳米管阵列。本发明能够制备较大尺寸的TiO2纳米管阵列/Ti网复合纳米材料，所得材料具有比表面积大、表面活性高等系列优点，同时具有可滤过性，在光催化、太阳能电池、传感器等领域均有突出的性能及应用优势。并且工艺简单，可大批量制备，适用于工业化生产和应用。
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公开(公告)号：CN103628111B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310558229.2
申请日：2013-11-12
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明公开了一种在大面积Ti网上制备均匀有序的TiO2纳米管阵列的方法，属纳米材料制备技术领域。直接使用金属槽作为对电极构建二电极阳极氧化体系，经表面清洁处理的大面积Ti网为阳极，在含F电解液中进行一定时间的阳极氧化，Ti网表面生成均匀有序的TiO2纳米管阵列。本发明能够制备较大尺寸的TiO2纳米管阵列/Ti网复合纳米材料，所得材料具有比表面积大、表面活性高等系列优点，同时具有可滤过性，在光催化、太阳能电池、传感器等领域均有突出的性能及应用优势。并且工艺简单，可大批量制备，适用于工业化生产和应用。
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公开(公告)号：CN203773223U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420110325.0
申请日：2014-03-12
Applicant: 海南大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本实用新型属于微纳米级结构材料和器件的加工技术领域，尤其涉及一种压印设备。本实用新型解决现有的压印设备在热压印大面积的被压印物时存在被压印物成型质量差的问题。本实用新型的压板由加压装置驱动，支撑板被弹性元件顶抵且限制在导柱的长度范围内移动，压板上固定有由压模与被压印物贴合形成的压印组件，只要使用加压装置，再配合弹性元件，即可让支撑板与压板实现靠近或分离，而压模与被压印物相抵实现压印。该压印设备结构简单、操作方便而且成型质量好，能够实现特征尺寸20nm到2000nm的图形转移，适于大量制备各种纳米电子器件、光学器件、存储器、纳米流体通道、生物芯片等。
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