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公开(公告)号：CN107680997B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711032851.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN108878517A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810688107.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出了一种肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管，包括：漏极金属，漏极金属上方连接有高掺杂浓度的半导体衬底，高掺杂浓度的半导体衬底上方设有漂移区，漂移区表面设有栅氧化层、源极金属和源极延伸金属，栅氧化层上方设有栅电极，所述漂移区和源极金属之间，以及漂移区和源极延伸金属之间的接触为肖特基接触。该器件制备简单，具有很小的特征导通电阻和很小的体二极管反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN108847422A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810620591.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
Abstract: 本发明提出了一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；衬底上方设有缓冲层；缓冲层上方设有沟道层；沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层，且源电极和漏电极位于势垒层的两端，势垒层位于源电极和漏电极的中间；势垒层上方设有介质层和栅电极；其特征在于，在所述栅电极与漏电极之间的介质层表面设置有若干耦合场板，每一个耦合场板上方设有一个耦合电极，所有耦合电极通过金属互连线与源电极相互连接。该结构可以通过耦合电极以及耦合场板的尺寸设计改变耦合场板的耦合电位，进而改变耦合场板对横向电场的调节作用，优化器件的横向电场分布，提高器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN107680997A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711032851.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107887427B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201711036397.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107887432A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711040993.5
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/41
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，P型衬底上设有N型漂移区和P型阱，P型阱上设有阴极接触区和第一场氧化层，N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层，第一场氧化层和第二场氧化层上方设有介质层，其特征在于，所述第一场氧化层表面设有多个感应电容电极板，所述第二场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，所述介质层表面设有多个上层电荷可调型场板，且每一个感应电容电极板和一个与之一一对应的电荷可调型场板或上层电荷可调型场板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接。该结构器件的漂移区电场分布均匀，耐压所需漂移区长度小，电流能力强，导通损耗和开关损耗小。
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公开(公告)号：CN107887426A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711034819.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107871778B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201711032799.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN109207964A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811275118.X
申请日：2018-10-19
Applicant: 济南大学
IPC: C23C16/46
Abstract: 本发明的一种用于电阻加热式MOCVD反应室的加热装置，包括基座，基座包括圆柱形的导热体，导热体内底部开有若干个同心且深度不同的环形卡槽，每个环形卡槽内均设置有一个环形的加热电阻，环形卡槽和加热电阻的排布采用自带流体与热传导方程的多物理场仿真软件进行仿真，并将热传导模型与流体模型进行耦合计算得出。本发明的有益效果是：本发明通过调节加热电阻的产热量，并调节环形卡槽的尺寸，使导热体表面的温度分布均匀性提高。
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公开(公告)号：CN107845675A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711052150.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有宽度渐变型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属以及与源极金属相对的漏极金属，所述源极金属上连接宽度渐变型金属场板，所述宽度渐变型金属场板包括沿宽度方向排布的若干宽度渐变型金属层，每一个所述宽度渐变型金属层的宽度沿着源极到漏极的方向逐渐减小。该结构可以使场板上所感应的电荷在器件长度方向上分布更加均匀，从而使器件表面电场分布更加均匀，因此可以在保证器件导通电阻的条件下提高器件的横向耐压能力。
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