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公开(公告)号：CN107887426B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201711034819.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN110989063A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911071888.7
申请日：2019-11-05
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及彩色滤光片技术领域，尤其涉及一种基于矩形晶格排列的彩色滤光片及其制备方法和应用。所述滤光片结构为：包括透明衬底，透明覆盖层和纳米柱，所述纳米柱固定在透明衬底的表面上，所述透明覆盖层填充在纳米柱之间，且将纳米柱包覆在透明覆盖层中；纳米柱形成的阵列呈矩形晶格排列，且相邻纳米柱之间的距离和相邻两排纳米柱之间的最短距离不相等。本发明的矩形晶格能够独立地改变超表面的横向和纵向周期，从而实现对透射光谱和滤出颜色更为细致地调控，最终获得具有更高色彩饱和度的彩色滤光片。其次，通过引入矩形晶格，即将超表面的横向和纵向周期设置为不同的值，该结构能够展现出优异的周期不敏感特性，从而提高彩色滤光片的稳定性。
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公开(公告)号：CN108847421A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810688108.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出了一种横向可集成的肖特基结势垒场效应管，包括：N型衬底，所述N型衬底表面设有源极金属、栅介质层和漏极金属，所述栅介质层上方设有栅电极，所述源极金属和N型衬底之间以及漏极金属和N型衬底之间的接触为肖特基接触。由于本发明器件不需要高掺杂浓度的P型源极接触区和P型漏极接触区，器件具有更小的横向尺寸，同时，器件的栅电极不需要覆盖P型源极接触区和P型漏极接触区，因此栅电极的长度更小，所以器件的栅电极寄生电容更小，器件具有更快的开关速度。
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公开(公告)号：CN107871778A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711032799.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107871778B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201711032799.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110501772A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910713194.2
申请日：2019-08-02
Applicant: 济南大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明涉及超高分辨率彩色滤光片技术领域，尤其涉及基于氢化非晶硅超表面的超高分辨率彩色滤光片及其制备方法和应用。包括：透明衬底、介质超表面和透明覆盖层；其中，所述介质超表面为纳米柱结构的氢化非晶硅，其呈阵列式结构分布在透明衬底表面；所述透明覆盖层覆盖在介质超表面上，从而将介质超表面密封在透明覆盖层中。本发明的彩色滤光片能同时工作在透射和反射模式下，显著提高光利用效率；同时，通过简单调整超表面中单个亚波长结构的结构参数，还能够实现全彩色超高分辨率彩色打印。
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公开(公告)号：CN107845675A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711052150.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有宽度渐变型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属以及与源极金属相对的漏极金属，所述源极金属上连接宽度渐变型金属场板，所述宽度渐变型金属场板包括沿宽度方向排布的若干宽度渐变型金属层，每一个所述宽度渐变型金属层的宽度沿着源极到漏极的方向逐渐减小。该结构可以使场板上所感应的电荷在器件长度方向上分布更加均匀，从而使器件表面电场分布更加均匀，因此可以在保证器件导通电阻的条件下提高器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN110989063B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911071888.7
申请日：2019-11-05
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及彩色滤光片技术领域，尤其涉及一种基于矩形晶格排列的彩色滤光片及其制备方法和应用。所述滤光片结构为：包括透明衬底，透明覆盖层和纳米柱，所述纳米柱固定在透明衬底的表面上，所述透明覆盖层填充在纳米柱之间，且将纳米柱包覆在透明覆盖层中；纳米柱形成的阵列呈矩形晶格排列，且相邻纳米柱之间的距离和相邻两排纳米柱之间的最短距离不相等。本发明的矩形晶格能够独立地改变超表面的横向和纵向周期，从而实现对透射光谱和滤出颜色更为细致地调控，最终获得具有更高色彩饱和度的彩色滤光片。其次，通过引入矩形晶格，即将超表面的横向和纵向周期设置为不同的值，该结构能够展现出优异的周期不敏感特性，从而提高彩色滤光片的稳定性。
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公开(公告)号：CN107887427B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201711036397.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN107887432A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711040993.5
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/41
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，P型衬底上设有N型漂移区和P型阱，P型阱上设有阴极接触区和第一场氧化层，N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层，第一场氧化层和第二场氧化层上方设有介质层，其特征在于，所述第一场氧化层表面设有多个感应电容电极板，所述第二场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，所述介质层表面设有多个上层电荷可调型场板，且每一个感应电容电极板和一个与之一一对应的电荷可调型场板或上层电荷可调型场板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接。该结构器件的漂移区电场分布均匀，耐压所需漂移区长度小，电流能力强，导通损耗和开关损耗小。
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