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公开(公告)号：CN110768644B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201911021428.3
申请日：2019-10-25
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其分隔制备工艺，其中薄膜体声波谐振器由下至上依次包括柔性基底和压电振荡堆，所述压电振荡堆包括耐腐蚀薄膜、下电极、压电薄膜、上电极。本发明主要针对上述薄膜体声波谐振器提出了一种新型的制备工艺，采用了聚酰亚胺与压电振荡堆分隔制备的工艺步骤，解决了聚酰亚胺的耐温性与压电振荡堆制备中退火所需的高温环境之间的矛盾，提高电极和压电薄膜的成膜质量，提升FBAR器件的谐振性能。
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公开(公告)号：CN110768644A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911021428.3
申请日：2019-10-25
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其分隔制备工艺，其中薄膜体声波谐振器由下至上依次包括柔性基底和压电振荡堆，所述压电振荡堆包括耐腐蚀薄膜、下电极、压电薄膜、上电极。本发明主要针对上述薄膜体声波谐振器提出了一种新型的制备工艺，采用了聚酰亚胺与压电振荡堆分隔制备的工艺步骤，解决了聚酰亚胺的耐温性与压电振荡堆制备中退火所需的高温环境之间的矛盾，提高电极和压电薄膜的成膜质量，提升FBAR器件的谐振性能。
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公开(公告)号：CN109103582A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810995299.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线及制造方法，所述天线包括衬底、磁致伸缩层和压电堆；所述压电堆包括压电薄膜、下电极和上电极；所述下电极位于压电薄膜与衬底之间，所述磁致伸缩层和上电极位于压电薄膜上方，在下电极的位置处，衬底内设置通孔用于下电极的电气连接。本发明的天线，尺寸更小，且工艺步骤简单可靠。所述压电层主要是用于电压的变化发生相应的形变，从而产生声波，用于载波；所述磁致伸缩层能够产生相应的电磁波，用于和压电层产生的声波进行耦合。
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公开(公告)号：CN208316692U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201821408057.5
申请日：2018-08-29
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本实用新型公开了一种碳纳米电极的薄膜体声波谐振器，依次包括衬底、隔离层和压电堆层，所述压电堆层包括下电极、压电薄膜、上电极。隔离层用于隔开调节层和压电堆层，支撑薄膜体声波谐振器主体结构，还可以实现声波限制。压电堆层利用压电薄膜材料的压电性产生声波谐振，电极材料外接电源提供压电薄膜材料两端的电压，其中压电薄膜材料采用压电材料，下电极材料采用金属材料，特别的是该器件结构的上电极材料采用碳纳米材料，相比金属电极能够降低质量负载效应，利于实现器件的高频特性，同时具有更高的声阻抗，使得电极与外界零声阻抗空气更加失配，增加声波在电极处的反射。
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公开(公告)号：CN207939485U
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201820800237.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 河海大学常州校区
Abstract: 本实用新型公开了一种频率可调的新型薄膜体声波谐振器，依次包括衬底、温度补偿层、调节层、隔离层和压电堆层，所述压电堆层包括下电极、压电薄膜、上电极。温度补偿层材料具有正温度系数，能够有效降低由于负温度系数压电薄膜造成的温度-频率漂移，提高薄膜体声波谐振器的稳定性，同时温度补偿层材料需具有低热导率特性，以此隔绝温度，使热源传递的热量主要集中在压电堆层中，提高压电堆层的升温效率；调节层采用金属材料，外接热源加热调节层，使压电堆层温度变化，则杨氏模量发生变化，频率也会变化，据此原理，调节温度，实现薄膜体声波谐振器频率的调节；隔离层用于隔开调节层和压电堆层，支撑薄膜体声波谐振器主体结构，还可以实现声波限制。
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