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公开(公告)号:CN112289591B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202011149172.7
申请日:2020-10-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。该材料是以酒糟多孔碳作为基底,钴、镍元素以Co‑Ni‑LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面得到的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。其工艺是:首先将酒糟碳化得酒糟多孔碳,再与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应,最后经过抽滤、洗涤,干燥,即可得产品。制备的复合材料稳定性好、复合程度高,兼具较高的比容量、倍率性能,同时基底碳材料来源为酒糟,原料来源广泛且价格便宜,使酒糟“变废为宝”。
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公开(公告)号:CN112289591A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202011149172.7
申请日:2020-10-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。该材料是以酒糟多孔碳作为基底,钴、镍元素以Co‑Ni‑LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面得到的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。其工艺是:首先将酒糟碳化得酒糟多孔碳,再与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应,最后经过抽滤、洗涤,干燥,即可得产品。制备的复合材料稳定性好、复合程度高,兼具较高的比容量、倍率性能,同时基底碳材料来源为酒糟,原料来源广泛且价格便宜,使酒糟“变废为宝”。
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公开(公告)号:CN112938967A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110493370.3
申请日:2021-05-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/318 , C01B32/348 , H01G11/34 , H01G11/86
Abstract: 本发明公开了一种腐乳基多孔碳材料,以腐乳为原料,经预碳化,保留腐乳发酵形成的多孔结构,形成碳前驱体;再将碳前驱体进行碱处理活化和煅烧,即可得到腐乳基多孔碳材料,其微观形貌呈3D蚁巢状,其比表面积范围在3000‑4000 m2 g‑1;所述腐乳的发酵方法为低常温自然发酵。其制备方法包括以下步骤:1)碳前驱体的制备;2)腐乳基多孔碳材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用,当电流密度≥0.5A g‑1时,比电容值范围在420‑600 F g‑1。本发明具有以下优点:以腐乳为原料,利用陈化发酵产生的气体和微生物的作用,获得具有特殊的微观结构,并且无需另外进行掺杂;具有高比表面积,孔隙丰富,孔径均一。
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